1.一种Flash存储器测试电路，其特征在于，其包括K个传感电路模块、一个N振荡器环，K为正整数；

所述传感电路模块包括预充电PMOS管M1及列选择NMOS管M2；

所述预充电PMOS管M1，其源端接工作电压，其漏端接列选择NMOS管M2漏端并作为控制电压输出端Vctr，其栅端用于接预充电控制信号Vpre_charge；

所述列选择NMOS管M2,其栅端用于接选择信号Vselect，其源端接Flash存储器的位线BL；

所述N振荡器环包括第三PMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5及2n个反相器、一个与非门，n为正整数；

所述第三PMOS管M3的源端接工作电压，漏端接第四NMOS管M4的漏端；

所述第五NMOS管M5，其漏端接第四NMOS管M4的源端，其栅端接所述控制电压输出端Vctr，其源端接地；

所述2n个反相器串接，输入端接所述第三PMOS管M3的漏端，输出端接所述与非门的一个输入端；

所述与非门的另一个输入端用于接第一使能信号EN1；

所述与非门的输出端接第三PMOS管M3、第四NMOS管M4的栅端。

2.根据权利要求1所述的Flash存储器测试电路，其特征在于，Flash存储器的同一页有F列位线,F为小于K的正整数；

F个传感电路模块的列选择NMOS管M2源端分别接Flash存储器的同一页的F列位线BL。

3.根据权利要求1所述的Flash存储器测试电路，其特征在于，一N环频率检测电路连接N振荡器环中串接的2n个反相器的输出端，用于检测N振荡器环的振荡频率。

4.根据权利要求3所述的Flash存储器测试电路，其特征在于，所述N环频率检测电路包括依次连接的一触发器和一计数器。

5.根据权利要求2所述的Flash存储器测试电路，其特征在于，Flash存储器测试电路还包括P振荡器环；

所述P振荡器环包括第六PMOS管M6、第七PMOS管M8、第八NMOS管M8及2n个反相器、一个与非门；

所述第六PMOS管M6，其源端接工作电压，其漏端接第七PMOS管M7的源端，其栅端接所述控制电压输出端Vctr；

所述第八NMOS管M8，其漏端接第七PMOS管M7的漏端，其源端接地；

所述2n个反相器串接，输入端接所述第七PMOS管M7的漏端，输出端接所述与非门的一个输入端；

所述与非门的另一个输入端用于接第二使能信号EN2；

所述与非门的输出端接第七PMOS管M7、第八NMOS管M8的栅端。

6.根据权利要求5所述的Flash存储器测试电路，其特征在于，一P环频率检测电路连接P振荡器环中串接的2n个反相器的输出端，用于检测P振荡器环的振荡频率。

7.根据权利要求6所述的Flash存储器测试电路，其特征在于，所述P环频率检测电路包括依次连接的一触发器和一计数器。

8.根据权利要求1或2所述的Flash存储器测试电路，其特征在于，所述Flash存储器测试电路为内建自测试电路，集成在Flash存储器芯片中。

9.根据权利要求1或2所述的Flash存储器测试电路，其特征在于，所述Flash存储器为NOR Flash存储器。

10.一种采用权利要求5所述的Flash存储器测试电路的Flash存储器测试方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.先复位第一使能信号EN1、第二使能信号EN2，使N振荡器环、P振荡器环失效，用需要的测试模式写入存储器的各存储单元，完成初始化；

S2.根据需要的测试模式，选择使能相应的N振荡器环或/和P振荡器环：S3.对字线WL逐行加压选中，接入相应振荡器环的频率检测电路，读出相应振荡器环的振荡频率；

S4.如果振荡器环的振荡频率偏离中心频率超过第一设定区间，则选中的字线WL有缺陷，进入字线诊断模式。

11.根据权利要求10所述的Flash存储器测试方法，其特征在于，进入字线诊断模式后，逐一使其中一个传感电路模块的列选择NMOS管M2选中接通相应位线BL并同时使其他F‑1个传感电路模块的列选择NMOS管M2关断，读出振荡器环的振荡频率，如果一选中传感电路模块对应的振荡器环的振荡频率偏离中心频率超过第二设定区间，则该选中传感电路模块对应的位线BL及步骤S4中有缺陷选中字线WL对应的存储单元故障。

12.根据权利要求10所述的Flash存储器测试方法，其特征在于，步骤S1中，所述测试模式为全0测试模式、全1测试模式或混合测试模式；

全0测试模式，存储器的各存储单元均写入0；

全1测试模式，存储器的各存储单元均写入1；

混合模式，存储器的存储单元有的写入1，有的写入0；

步骤S2中，如果需要的测试模式为全0测试模式，则由第一使能信号EN1使能控制，仅启用对固1故障SA1敏感的N振荡器环，用于检查是否存在固1故障SA1；

如果需要的测试模式为全1测试模式，由第二使能信号EN2使能控制，仅启用对固0故障SA0敏感的P振荡器环，用于检查是否存在固0故障SA0；

如果需要的测试模式为混合测试模式，同时启用N振荡器环和P振荡器环。