1.一种柔性fNIRS检测器件，其特征在于，包括第一柔性材料层（3）和设置于第一柔性材料层（3）上的柔性电路（1），第二柔性材料层（2）包裹于柔性电路（1）上；所述柔性电路（1）上设有元器件，元器件通过光刻键合设置于柔性电路（1）上。

2.一种柔性fNIRS检测器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤A：柔性材料层制备，在洁净的硅片（4）上依次旋涂牺牲层以及衬底材料层，并按梯度热烘固化形成第一柔性材料层（3）；

步骤B：柔性电路（1）制备，利用磁控溅射在已旋涂完柔性衬体的硅片（4）上溅射铬和金，通过正胶光刻形成柔性电路（1）；

步骤C：通过机械，化学（CMP）的方式对芯片减薄，再溅射一层钛、铬、金使其底部形成欧姆接触，使用导电银浆（5）将芯片粘附到柔性电路（1）上；

步骤D：光刻键合：在元器件表面旋涂一层光刻胶，曝光键合线（6）部分，显影后在其表面溅射Cr，AU，通过抬离形成键合线（6）；

步骤E：形成第二柔性材料层（2），所述第二柔性材料层（2）设置在所述柔性电路（1）上以包裹所述元器件，并暴露出柔性电路（1）接口的部分。

3.根据权利要求2所述的一种柔性fNIRS检测器件的制备方法，其特征在于，所述硅片（4）在加工前，采用氧气进行等离子清洗，将硅片（4）表面形成粗糙面。

4.根据权利要求3所述的一种柔性fNIRS检测器件的制备方法，其特征在于，所述牺牲层为聚甲基丙烯酸甲酯，衬底材料层为聚酰亚胺或聚对二甲苯或聚二甲基硅氧烷。

5.根据权利要求2所述的一种柔性fNIRS检测器件的制备方法，其特征在于，所述柔性电路（1）包括50nm厚度的铬和200nm厚度的金。

6.根据权利要求2所述的一种柔性fNIRS检测器件的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，将溅射铬和金后的硅片（4）放置于匀胶机上，将光刻胶滴涂在硅片（4）上，匀胶机旋转将光刻胶均匀打散形成掩模层。

7.根据权利要求1所述的一种柔性fNIRS检测器件的制备方法，其特征在于，选取与掩模层相对应的掩模板，将掩模板放置在光刻机上，采用紫外曝光工艺，将掩模板上图形转移到掩模层上，掩模板为铬板，掩模板上的图形为设定好的柔性电路（1），曝光完成后，使用显影液对掩模层进行显影，得到图形化的掩模层，掩模层挡住柔性电路（1）区域。

8.根据权利要求7所述的一种柔性fNIRS检测器件的制备方法，其特征在于，所述显影液显影完成后，在掩模层上依次放入金刻蚀液和铬刻蚀液，并放入丙酮溶液，洗去柔性电路（1）上方的掩模层。

9.根据权利要求2所述的一种柔性fNIRS检测器件的制备方法，其特征在于，所述步骤B中的柔性电路（1）成型后，蘸取导电银浆（5）均匀涂抹在柔性电路（1）的凸台上，将减薄后元器件按压在含有导电银浆（5）的凸台上，等待5‑10min，元器件贴附在柔性电路（1）上，将含有元器件的硅片（4）放在匀胶机上，并将光刻胶滴涂在硅片（4）上，匀胶机旋转将光刻胶打散，光刻胶作为掩模层，选取与掩模层相对应的掩模板，将掩模板放置在光刻机上，采用紫外曝光工艺，将掩模版上图形转移到掩模层上，掩模板为铬板，掩模板上的图形为元器件与柔性电路（1）连接的键合线（6），曝光完成后，使用显影液对掩模层进行显影，得到图形化的掩模层，使掩模层挡住除键合线（6）外的其他部分，通过磁控溅射在图形表面溅射铬和铜溶液，放入丙酮溶液进行抬离，形成键合线（6）。

10.根据权利要求2所述的一种柔性fNIRS检测器件的制备方法，其特征在于，所述步骤E中，在微针阵列上利用气相沉积工艺沉积第二柔性材料层（2），第二柔性材料层（2）采用派瑞林材质，先在元器件表面溅射一层铜液，然后在上面旋涂一层光刻胶，通过激光直写设备对光刻胶进行曝光处理，曝光的部分为柔性电路（1）的接口部分，之后，对位于柔性电路（1）的接口部分的光刻胶进行显影后去除，用铜刻蚀液将位于柔性电路（1）的接口部分的铜液去除，露出位于柔性电路（1）的接口部分的派瑞林，而派瑞林的其它部分被铜液遮挡，接着，放到刻蚀机里用氧气对露出的派瑞林进行刻蚀，最终暴露出柔性电路（1）的接口部分，以便传递电信号。