1.一种基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：获取标准单模光纤、第一空芯硅管Ⅰ和第二空芯硅管Ⅰ，将获取的标准单模光纤、第一空芯硅管Ⅰ和第二空芯硅管Ⅰ的涂覆层剥去后，用酒精擦拭备用；

逐一将备用的第一空芯硅管Ⅰ的两端和第二空芯硅管Ⅰ的两端分别与标准单模光纤熔接，第一空芯硅管Ⅰ与第二空芯硅管Ⅰ相对设置；

将与标准单模光纤熔接的第一空芯硅管Ⅰ同轴插入第一空芯硅管Ⅱ内，并将同轴的第一空芯硅管Ⅰ和第一空芯硅管Ⅱ的一端封装后放入酒精中，当酒精进入第一空芯硅管Ⅱ内并包裹第一空芯硅管Ⅰ后，将同轴的第一空芯硅管Ⅰ和第一空芯硅管Ⅱ的另一端封装；

将与标准单模光纤熔接的第二空芯硅管Ⅰ同轴插入第二空芯硅管Ⅱ内，并将同轴的第二空芯硅管Ⅰ和第二空芯硅管Ⅱ的一端封装后放入磁流体中，当磁流体进入第二空芯硅管Ⅱ内并包裹第二空芯硅管Ⅰ后，将同轴的第二空芯硅管Ⅰ和第二空芯硅管Ⅱ的另一端封装。

2.根据权利要求1所述的基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器的制备方法，其特征是，所述标准单模光纤长度为1.5cm。

3.根据权利要求1所述的基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器的制备方法，其特征是，所述第一空芯硅管Ⅰ和第二空芯硅管Ⅰ长度均为5mm。

4.根据权利要求1所述的基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器的制备方法，其特征是，所述第一空芯硅管Ⅰ与第二空芯硅管Ⅰ的间距为1cm。

5.根据权利要求1所述的基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器的制备方法，其特征是，各空芯硅管Ⅰ的内径为75μm，外径为150μm；各空芯硅管Ⅱ的内径为240μm，外径为300μm。

6.一种基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器，其特征在于，采用权利要求1‑5任一项所述的基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器的制备方法制备而成。

7.根据权利要求6所述的基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器，其特征在于，包括单模光纤（1）和两个谐振腔（2）；

所述两个谐振腔（2）相对设置在单模光纤（1）上，其中一个谐振腔仅对温度敏感，另一个谐振腔对温度和磁场均敏感。

8.根据权利要求7所述的基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器，其特征在于，一个谐振腔包括同轴设置的第一空芯硅管Ⅰ和第一空芯硅管Ⅱ，第一空芯硅管Ⅰ和第一空芯硅管Ⅱ之间用酒精填充；另一个谐振腔包括同轴设置的第二空芯硅管Ⅰ和（21）第二空芯硅管Ⅱ（22），第二空芯硅管Ⅰ（21）和第二空芯硅管Ⅱ（22）之间用磁流体填充。

9.根据权利要求7所述的基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器，其特征在于，相对设置的两个谐振腔（2）的间距为1cm。

10.根据权利要求7所述的基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器，其特征在于，两个谐振腔（2）的长度均为5mm。