1.一种二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在透明基底上制备纳米吸光层和二氧化硅纳米薄膜；所述二氧化硅纳米薄膜为三氧化二铝或二氧化铪纳米薄膜；

步骤2：把二维原子层材料转移至所述二氧化硅纳米薄膜表面；

步骤3：令聚焦激光束穿过所述透明基底辐照所述纳米吸光层，激光束加热中间纳米吸光层，引起热膨胀或相变膨胀，导致纳米吸光层表层二氧化硅薄膜被顶起，形成表面鼓包，鼓包的横向尺寸由激光光斑直径和激光能量密度控制；同时对二维原子层材料施加局域应变；局域应变大小由鼓包高度决定；局域应变分布由鼓包形貌决定；局域应变的空间分辨率由鼓包的横向尺寸决定；

步骤4：通过控制聚焦激光束的移动轨迹、能量密度来对二维原子层材料施加复杂应变场，从而完成对二维原子层材料应变场的控制；

当二维原子层材料为多层原子时，上下相邻原子层间为任意夹角，并且上下相邻原子层为异质结构。

2.根据权利要求1所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述透明基底为石英基底。

3.根据权利要求1所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述纳米吸光层为金属纳米吸光层或非金属纳米吸光层。

4.根据权利要求3所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述金属纳米吸光层为锡、铟金属纳米吸光层，厚度为5～30nm。

5.根据权利要求3所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述非金属纳米吸光层为聚苯乙烯纳米吸光层，厚度为5～30nm。

6.根据权利要求1所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述二维原子层材料包括石墨烯、二硫化钼、二硒化钨二维原子层，厚度为1～10个原子厚度。

7.根据权利要求1所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述聚焦激光束的波长在紫外至红外波段选择；聚焦光斑的尺寸在微米或亚微米范围；聚焦激光束发的入射角度为正入射；入射方向为从上表面入射或从下表面入射。

8.根据权利要求1所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，移动转移有二维原子层材料的基底或者通过扫描振镜控制聚焦激光束的移动轨迹；聚焦激光束为连续激光或脉冲激光；激光功率为毫瓦量级。

9.根据权利要求1所述的二维原子层材料应变场控制方法，其特征在于，所述复杂应变场包括：均匀应变分布、线性变化型应变分布、二次曲线型应变分布、指数变化型应变分布。