1.一种透明超疏水玻璃的制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：

（1）将玻璃基片放入氢氟酸溶液中进行腐蚀，氢氟酸溶液的体积浓度为3%‑7%，腐蚀温度为30℃‑50℃，腐蚀时间为5‑15分钟；

（2）将步骤（1）中所腐蚀的玻璃基片清洗干净后放入氢氧化钠溶液中进行腐蚀，氢氧化钠溶液质量浓度为3%‑5%，腐蚀温度为30℃‑50℃，腐蚀时间为5‑15分钟；

（3）将步骤（2）中所腐蚀的玻璃清洗干燥后，采用等离子体增强化学气相沉积技术PECVD依次以高纯甲烷、氢气与硅烷混合气为工作气体在其表面制备碳化硅薄膜，PECVD制备碳化硅薄膜参数为：射频功率100～150W，射频频率13.56MHz，基片温度200～250℃，腔体压强80～120Pa，通入高纯甲烷气体流量30～50sccm，通入氢气与硅烷混合气的气体流量15～25sccm，薄膜制备时间50～75分钟；

氢气与硅烷混合气中，氢气与硅烷的体积比为8‑15：85‑92；

（4）采用等离子体增强化学气相沉积技术PECVD依次以高纯甲烷、高纯四氟化碳、高纯氧气为工作气体对步骤（3）中所制备的碳化硅薄膜实施等离子体处理，得到透明超疏水玻璃，PECVD等离子体处理参数为：射频功率300～400W，射频频率13.56MHz，基片温度200～

250℃，腔体压强50～70Pa，通入高纯甲烷气体流量30～40sccm，通入高纯四氟化碳气体流量10～20sccm，通入高纯氧气气体流量5～10sccm，等离子体刻蚀时间10～20分钟。

2.根据权利要求1所述的透明超疏水玻璃的制备方法，其特征在于，步骤（3）中高纯甲烷的纯度为99.999%以上。

3.根据权利要求1所述的透明超疏水玻璃的制备方法，其特征在于，步骤（4）中高纯甲烷、高纯四氟化碳和高纯氧气的纯度均为99.999%以上。