1.一种纳米硫化镉修饰电极，其特征在于，制备方法包括如下步骤：

1)取纯化的镉粉和硫粉于聚四氟乙烯内衬的高压釜中，加入氢氧化钠溶液，混合均匀后，密封，置于烘箱中进行水热反应，冷却，过滤，所得固体物用去离子水和乙醇进行洗涤，离心，得纳米硫化镉；

2)取纳米硫化镉加入乙醇，混合均匀，所得浆料滴涂于玻碳电极基体表面，室温下晾干后，放入pH＝7浓度为0.1M的磷酸盐的缓冲溶液中，利用循环伏安法扫描至图形稳定在‑0.2～0.8V的电位窗口中，最后用蒸馏水冲洗，制得纳米硫化镉修饰电极。

2.根据权利要求1所述的一种纳米硫化镉修饰电极，其特征在于，所述纯化的镉粉是：取镉粉与盐酸溶液混合，搅拌2min后过滤，依次用去离子水、丙酮洗涤，过滤，得纯化的镉粉。

3.根据权利要求1所述的一种纳米硫化镉修饰电极，其特征在于，按质量比，镉粉:硫粉＝1:0.1～0.15。

4.根据权利要求1所述的一种纳米硫化镉修饰电极，其特征在于，所述水热反应是，于

180℃下水热反应24h。

5.权利要求1所述的一种纳米硫化镉修饰电极在同步测定多巴胺和抗坏血酸中的应用。

6.一种同步测定多巴胺和抗坏血酸的方法，其特征在于：利用权利要求1所述的纳米硫化镉修饰电极，方法如下：以纳米硫化镉修饰电极为工作电极，饱和甘汞电极为参比电极，‑

铂电极为对电极，将三电极体系置于含多巴胺和抗坏血酸的溶液中，以pH 7.0、0.1mol·L1

PBS缓冲溶液为底液，采用微分脉冲伏安技术对体系进行测定，扫描区间为‑0.20V～+

0.80V，参数选择：Incr E(V)＝0.001，Amplitude(V)＝0.05，Pulse Width(s)＝0.05，Pulse Period(s)＝0.2，记录下多巴胺和抗坏血酸的微分脉冲伏安曲线。