1.含铜危废处理电解槽用液位控制器，包括液位差电路、迟滞比较电路、压控震荡电路、电磁阀驱动电路，其特征在于，液位差电路连接迟滞比较电路，迟滞比较电路连接压控震荡电路，压控震荡电路连接电磁阀驱动电路。

2.根据权利要求1所述的含铜危废处理电解槽用液位控制器，其特征在于，所述液位差电路包括运算放大器AR1，运算放大器AR1的同相输入端分别连接电感L1的一端、接地电容C1的一端，电感L1的另一端分别连接液位传感器P1的输出端、电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电源+5V，运算放大器AR1的反相输入端分别连接电感L2的一端、接地电容C2的一端，电感L2的另一端连接液位高度指定值信号。

3.根据权利要求1所述的含铜危废处理电解槽用液位控制器，其特征在于，所述迟滞比较电路包括运算放大器AR2，运算放大器AR2的同相输入端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端和开关K1左端连接运算放大器AR1的输出端，运算放大器AR2的反相输入端分别连接三极管Q2的发射极、电阻R4的一端、接地电阻R3的一端，三极管Q2的集电极、电阻R4的另一端连接电源+1V，运算放大器AR2的输出端连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端分别连接接地电容C3的一端、开关K1的控制端，开关K1的右端输出信号到压控震荡电路。

4.根据权利要求1所述的含铜危废处理电解槽用液位控制器，其特征在于，所述压控震荡电路包括芯片U1，芯片U1的引脚4和引脚8连接电源+5V，芯片U1的引脚2分别连接芯片U1的引脚6、MOS管T1的源极、可变电容C4的一端，可变电容C4的另一端连接地， MOS管T1的漏极分别连接电阻R6的一端、芯片U 1的引脚7，电阻R6的另一端连接电源+5V，芯片U1的引脚1连接地，芯片U1的引脚5分别连接电容C5的一端、电阻R7的一端，电容C5的另一端和电阻R7的另一端连接地，芯片U1的引脚3输出信号到电磁阀驱动电路。

5.根据权利要求1所述的含铜危废处理电解槽用液位控制器，其特征在于，所述电磁阀驱动电路包括光电耦合器U2，光电耦合器U2的引脚1通过电阻R9另一端连接电源+5V，光电耦合器U2的引脚2分别连接接地电容C5的一端、电阻R8的一端，电阻R9的另一端连接芯片U1的引脚3，光电耦合器U2的引脚3连接地，光电耦合器U2的引脚4分别连接电阻R10一端、电阻R11一端，电阻R10另一端连接电源12V，电阻R11另一端分别连接电容C6一端、三极管Q3的基极，电容C6另一端、三极管Q3的发射极、二极管D7负极连接电源12V，三极管Q3的集电极分别连接二极管D7的正极、接地电容C7一端、电磁阀开关P2引脚1，电磁阀开关P2引脚2连接地。