1.一种高频离网储能逆变器的低功耗待机电路，其特征在于：包括预充电路、控制电路和功率电路，其中，所述预充电路为低功耗待机电路的控制电路和功率电路提供母线电压，所述控制电路包括低功耗MCU和驱动单元，所述MCU的输出端与驱动单元输入端相连，所述驱动单元的输出端与功率电路输入端相连，所述功率电路提供驱动，驱动后级的逆变器，所述MCU还设有用于与逆变器主控通信的通信引脚。

2.根据权利要求1所述的高频离网储能逆变器的低功耗待机电路，其特征在于：所述预充电路复合所述高频离网储能逆变器的原预充电路，并设有供电单元和稳压单元，所述供电单元与原电压输出端并联，所述稳压单元限制所述供电单元的输出电压。

3.根据权利要求2所述的高频离网储能逆变器的低功耗待机电路，其特征在于：所述供电单元包括二极管D1，所述二极管D1的正极接变压器输出端，负极输出母线电压VBUS。

4.根据权利要求3所述的高频离网储能逆变器的低功耗待机电路，其特征在于：所述稳压单元包括TL431稳压电源电路。

5.根据权利要求4所述的高频离网储能逆变器的低功耗待机电路，其特征在于：所述稳压单元包括二极管D8、稳压二极管U2、及其外围阻容器件，所述稳压二极管U2的调整端通过若干个串联的电阻接母线电压VBUS，并通过并联的电阻电容接负极端，及通过电阻接正极端，所述稳压二极管U2的正极接地，稳压二极管U2负极分别接二极管D8的负极和通过电阻接12V电源，所述二极管D8的正极接原预充电路的输出电压检测端。

6.根据权利要求1‑5任一项所述的高频离网储能逆变器的低功耗待机电路，其特征在于：所述功率电路设有电压反馈端，所述低功耗MCU设有所述电压反馈端相连的电压反馈引脚1，还设有与驱动单元相连的驱动引脚，及电源引脚16、接地引脚8和与逆变器主控的通信引脚11、12，所述驱动单元为半桥或全桥驱动电路。

7.根据权利要求6所述的高频离网储能逆变器的低功耗待机电路，其特征在于：当所述驱动单元为半桥驱动电路时，所述低功耗MCU设有一组驱动引脚；当所述驱动单元为全桥驱动电路时，所述低功耗MCU设有两组驱动引脚，所述驱动单元包括两路结构相同的驱动支路，分别为上半桥驱动支路和下半桥驱动支路。

8.根据权利要求7所述的高频离网储能逆变器的低功耗待机电路，其特征在于：所述驱动单元为全桥驱动电路，所述上半桥驱动支路包括驱动芯片U5，所述驱动芯片U5的引脚1接电源，引脚2和引脚3分别与低功耗MCU的一组驱动引脚相连，引脚4接地，引脚5‑7分别输出三路驱动信号，引脚8通过电容C17与引脚6相接，驱动芯片U5的引脚1和引脚8之间还设有一二极管，该二极管的正极接引脚1。

9.根据权利要求8所述的高频离网储能逆变器的低功耗待机电路，其特征在于：所述功率电路包括高压反馈单元和修正波处理单元，所述高压反馈单元包括电阻R5、电阻R13、电阻R25和电容ECl，其中，所述电容ECl的一端接母线电压，另一端接地，电阻R5、电阻R13、电阻R25串联，一端接母线电压，另一端接地，其中两个电阻之间设有一电压反馈端，与低功耗MCU的反馈引脚1相连。

10.根据权利要求9所述的高频离网储能逆变器的低功耗待机电路，其特征在于：所述修正波处理单元包括两路结构相同的处理支路，输出端分别与上半桥驱动支路和下半桥驱动支路输出端相连，两路输出支路接输出接口J1的两个输出引脚，其中一个处理支路包括开关管Q1、三极管Q2，二极管D2、二极管D6，其中，所述开关管Q1与开关管Q2串联，所述开关管Q1的源极接母线电压，所述开关管Q2的漏极接地，所述开关管Q1的栅极通过并联的二极管D2和电阻R2接驱动芯片U5的引脚7，其中，二极管D2的正极端接开关管Q2的栅极，所述开关管Q2的栅极通过并联的二极管D6和电阻R11接驱动芯片U5的引脚5，其中，二极管D6的正极端接开关管Q1的栅极，驱动芯片U5的引脚6和输出接口J1的引脚1分别接所述开关管Q1与开关管Q2之间。