1.一种免疫生物传感器，其特征在于，包括：基底、半导体层、带电荷薄膜部、第一电极、第二电极，所述半导体层置于所述基底上，所述带电荷薄膜部置于所述半导体层上，所述第一电极和所述第二电极置于所述半导体层上所述带电荷薄膜部的两侧，所述带电荷薄膜部不与所述第一电极、所述第二电极接触；应用时，所述带电荷薄膜部吸附被检测体，释放热量，改变所述半导体层的导电特性，通过测量所述半导体层导电特性的变化实现生物探测。

2.如权利要求1所述的免疫生物传感器，其特征在于：所述带电荷薄膜部为带羟基或羧基官能团的物质。

3.如权利要求1所述的免疫生物传感器，其特征在于：所述带电荷薄膜部的材料为氧化石墨烯。

4.如权利要求1所述的免疫生物传感器，其特征在于：所述半导体层的材料为石墨烯。

5.如权利要求1所述的免疫生物传感器，其特征在于：所述半导体层由第一半导体层和第二半导体层构成，所述第一半导体层置于所述基底上，所述第二半导体层置于所述第一半导体层上，所述带电荷薄膜部、所述第一电极、所述第二电极置于所述第二半导体层上。

6.如权利要求1所述的免疫生物传感器，其特征在于：还包括绝热材料层，所述绝热材料层置于所述基底上，所述半导体层置于所述绝热材料层上。

7.如权利要求1‑6任一项所述的免疫生物传感器，其特征在于：所述基底的材料为绝缘材料。

8.如权利要求7所述的免疫生物传感器，其特征在于：所述基底的材料为二氧化硅。

9.如权利要求8所述的免疫生物传感器，其特征在于：所述第一电极和所述第二电极的材料为金、银、铜。

10.如权利要求9所述的免疫生物传感器，其特征在于：所述半导体层的厚度小于1微米。