1.一种半导体激光温度控制系统，其特征在于，包括实时操作子系统、H桥驱动器、制冷片模块、半导体激光器、温度测量电路和温度采集电路；

所述实时操作子系统包括第一通用接口和串行接口，所述第一通用接口连接至所述H桥驱动器，所述H桥驱动器连接至所述制冷片模块，所述制冷片模块连接至所述半导体激光器，所述半导体激光器连接至所述温度测量电路，所述温度测量电路还连接至所述温度采集电路，所述温度采集电路连接至所述串行接口。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光温度控制系统，其特征在于，所述温度测量电路包括铂热电阻、第一运算放大器和第二运算放大模组；所述第一运算放大器连接至所述铂热电阻，所述铂热电阻还连接至所述第二运算放大模组。

3.根据权利要求2所述的一种半导体激光温度控制系统，其特征在于，所述温度测量电路还包括模数转换电路，所述模数转换电路连接至所述第二运算放大模组。

4.根据权利要求1所述的一种半导体激光温度控制系统，其特征在于，所述制冷片模块采用帕尔贴TEC制冷片，所述帕尔贴TEC制冷片的冷端接触所述半导体激光器。

5.根据权利要求4所述的一种半导体激光温度控制系统，其特征在于，所述制冷片模块还包括散热片、散热风扇以及电热丝辅助热源；所述电热丝辅助热源排布在所述散热片上，散热片的一端与所述帕尔贴TEC制冷片连接，所述散热片的另一端连接至所述散热风扇。

6.根据权利要求1所述的一种半导体激光温度控制系统，其特征在于，所述H桥驱动器包括若干场效应管和若干半桥驱动器，所述场效应管的栅极连接至所述半桥驱动器，所述场效应管的源极和漏极连接至所述制冷片模块。

7.根据权利要求1所述的一种半导体激光温度控制系统，其特征在于，所述半导体激光温度控制系统还包括通信模块，所述实时操作子系统还包括高速串行接口，所述通信模块连接至所述高速串行接口。

8.根据权利要求1‑7任一项所述的一种半导体激光温度控制系统，其特征在于，所述半导体激光温度控制系统还包括声光报警模块，所述实时操作子系统还包括第二通用接口，所述声光报警模块连接至所述第二通用接口。

9.根据权利要求8所述的一种半导体激光温度控制系统，其特征在于，所述半导体激光温度控制系统还包括按键模块以及显示模块，所述按键模块连接至所述实时操作子系统，所述显示模块连接至所述实时操作子系统。

10.一种半导体激光温度控制设备，其特征在于，所述设备包括如权利要求1‑9任一项所述的一种半导体激光温度控制系统。