1.一种金纳米树枝晶，其特征在于，位于金纳米薄膜上与导电衬底相连接的边缘处，所述金纳米薄膜层位于导电衬底上；所述金纳米树枝晶的材质为金，由主干以及自主干延伸出的各级分支结构组成，所述各级分支结构包括自主干延伸出的一级分支结构和自一级分支结构延伸出的二级分支结构，所述主干与各级分支结构的形态及延伸方向一致。

2.根据权利要求1所述的所述的金纳米树枝晶，其特征在于，所述各级分支结构还包括自二级分支结构延伸出的三级分支结构。

3.根据权利要求1或2所述的所述的金纳米树枝晶，其特征在于，所述主干和各级分支结构的形态为类四棱柱，且类四棱柱的延伸端沿延伸方向向前凸起形成类四棱锥，所述各级分支结构在分支节点处与所在主干或者上一级分支结构的夹角为30‑80度。

4.根据权利要求1或2所述的所述的金纳米树枝晶，其特征在于，所述金纳米树枝晶的主干长为3‑20μm，所述各级分支结构的长度为0.5‑10μm且不超过所在主干或者上一级分支结构的长度。

5.一种权利要求1‑4任意一项所述金纳米树枝晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在导电衬底的表面溅射厚度为5‑20nm的金纳米薄膜；

S2、刻划金纳米薄膜，形成贯穿金纳米薄膜的狭长缝隙；

S3、将步骤S2制得的导电衬底置于金电解液中作为阴极，石墨片作为阳极，在室温、2

100‑700μA/cm的恒定电流密度下，在导电衬底上电沉积金8‑16h，然后取出置于去离子水中浸泡并多次清洗，用惰性气体吹干，即制得金纳米树枝晶。

6.根据权利要求2所述的金纳米树枝晶的制备方法，其特征在于，步骤S1中溅射金纳米薄膜的方法为离子溅射法或磁控溅射法。

7.根据权利要求2所述的金纳米树枝晶的制备方法，其特征在于，步骤S2中刻划金纳米薄膜的方法为利用尖锐物体刻划或利用光刻/电子束刻蚀。

8.根据权利要求2所述的金纳米树枝晶的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述金电解液为含有0.1‑10g/L氯金酸、0.1‑1g/L四氧化三铁和0.5‑50g/L聚乙烯吡咯烷酮的水溶液。

9.一种权利要求1‑4任意一项所述金纳米树枝晶作为表面增强拉曼散射的活性基底的用途，使用激光拉曼光谱仪测量其上附着的罗丹明6G含量的用途。

10.根据权利要求9所述的金纳米树枝晶的用途，其特征在于，所述激光拉曼光谱仪的激发光的波长为532nm、功率为0.05‑1mW、积分时间为0.1‑120s。