1.一种具有变匹配层的阵列式超声传感器，其特征是：包括封装和匹配一体化层，所述封装和匹配一体化层的纵截面呈长城城墙状，其具有多个连续交替排列的凹部和凸部，每个凹部和凸部均具有开口，每个凹部的底面具有不同的厚度，在每个凹部的底面上均直接连接有一个压电元件，在压电元件和凹部侧壁空余的间隔处填充有横向声隔离层，在压电元件和横向声隔离层上设有反向吸声层，在两个凹部之间的凸部空腔中均填充有阵列间声学隔离层。

2.根据权利要求1所述的阵列式超声传感器，其特征是：所述压电元件位于每个凹部底面的中心。

3.根据权利要求1或2所述的阵列式超声传感器，其特征是：凹部的个数大于等于2个，优选为6个，凸部的个数大于等于2个，优选为5个。

4.根据权利要求1、2或3所述的阵列式超声传感器，其特征是：每个凹部底面的厚度和声阻抗不同；优选的，凹部底面的厚度t和声阻抗Z计算公式如下：t=c/4f；

 c表示水泥基材料浆体声速，单位m/s；

f表示频率，单位Hz；

Z=4×ρ×t ×f×Z2；

‑3

ρ表示水泥基材料浆体密度，单位kgm ；

6 ‑2 ‑1

Z2表示压电材料声阻抗，单位10kgm s ；

t表示凹部底面厚度，单位m。

5.根据权利要求1所述的阵列式超声传感器，其特征是：所述横向声隔离层的上表面与压电元件的上表面齐平。

6.根据权利要求1或5所述的阵列式超声传感器，其特征是：所述反向吸声层部分或全部填充在凹部的剩余空腔中。

7.根据权利要求1所述的阵列式超声传感器，其特征是：封装和匹配一体化层的最左侧和最右侧均为凸部。

8.根据权利要求7所述的阵列式超声传感器，其特征是：位于最左侧和最右侧的凸部是完整的或不完整的。

9.根据权利要求1所述的阵列式超声传感器，其特征是：在压电元件的上表面设有上电极，在压电元件的下表面设有下电极，上电极与上电极引线相连，下电极与下电极引线相连。

10.根据权利要求1所述的阵列式超声传感器，其特征是：在阵列间声学隔离层的裸露面上设有脱模涂层，在最左侧和最右侧的凸部内壁上也设有脱模涂层。