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1.一种Tb 掺杂SiO2纳米线及纳米晶粒材料，其特征在于：制备的Tb 掺杂SiO2纳米线3+

及纳米晶粒样品沉积温度为1120～1140℃，其中Tb 掺杂SiO2纳米线主要分布在接近1140℃温区，直径在200‑300nm范围内，长度达到20μm以上；随着沉积温度升高，纳米线长度越来3+

越长，直径越来越小；同时，Tb 掺杂SiO2纳米晶粒主要分布在接近1120℃沉积区域的衬底上,直径尺寸在200nm以内；

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所述的Tb 掺杂SiO2纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，该方法步骤如下：步骤一、将一定比例的SiO粉和Tb4O7粉充分研磨至混合均匀作为反应源，放入洁净的石英舟一端；

步骤二、将使用的衬底基片用超声波进行反复清洗干净，沿着石英舟在不接触反应源的前提下，距离反应源1cm以外放置多个衬底，把装有反应源和衬底的石英舟沿着两端开口石英管的一端放入，测量并记录药品及每个衬底基片的相对位置；

步骤三、将石英舟和石英管一起放入高温管式炉中，使反应源位于炉子高温区的正下方；

步骤四、抽真空，并在抽真空结束后，向腔体内通入Ar气，使腔体处于Ar气氛围，减少空气中气体与反应源之间的接触，总共进行三次抽真空和通Ar气的操作；

步骤五、炉子升温至使反应源温度达到反应温度，衬底温度达到沉积温度，保温2h，降温冷却至室温；

步骤六、取出石英管，即在衬底上有序生长出白色絮状SiO2纳米线及纳米晶粒。

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2.一种如权利要求1所述的Tb 掺杂SiO2纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其特征在于：该方法步骤如下：步骤一、将一定比例的SiO粉和Tb4O7粉充分研磨至混合均匀作为反应源，放入洁净的石英舟一端；

步骤二、将使用的衬底基片用超声波进行反复清洗干净，沿着石英舟在不接触反应源的前提下，距离反应源1cm以外放置多个衬底，把装有反应源和衬底的石英舟沿着两端开口石英管的一端放入，测量并记录药品及每个衬底基片的相对位置；

步骤三、将石英舟和石英管一起放入高温管式炉中，使反应源位于炉子高温区的正下方；

步骤四、抽真空，并在抽真空结束后，向腔体内通入Ar气，使腔体处于Ar气氛围，减少空气中气体与反应源之间的接触，总共进行三次抽真空和通Ar气的操作；

步骤五、炉子升温至使反应源温度达到反应温度，衬底温度达到沉积温度，保温2h，降温冷却至室温；

步骤六、取出石英管，即在衬底上有序生长出白色絮状SiO2纳米线及纳米晶粒。

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3.根据权利要求2所述的一种Tb 掺杂SiO2纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，所述按照一定质量比例的SiO粉和Tb4O7粉充分研磨混合均匀后作为反应源，SiO和Tb4O7的质量比例为1：0.03～0.09。

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4.根据权利要求2所述的一种Tb 掺杂SiO2纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其特征在于：所述步骤二中的衬底为Si片或石英片。

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5.根据权利要求2所述的一种Tb 掺杂SiO2纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其特征在于：所述步骤四中，保护气体的流量为100‑120sccm。

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6.如权利要求2所述一种Tb 掺杂SiO2纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其特征在于：所述步骤五和步骤六中，反应时间为2‑3h，反应完毕，降温至物理环境为室温时，即关闭Ar，取出石英管及衬底。

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7.根据权利要求2所述的一种Tb 掺杂SiO2纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其特征3+

在于：制备的Tb 掺杂SiO2纳米线主要分布在1140℃温区，直径在200‑300nm范围内，长度达到20μm以上，随沉积温度升高，纳米线长度越来越长，直径越来越小；同时，在1120℃沉积区3+

域的衬底上Tb 掺杂SiO2纳米晶粒尺寸在200nm以内。