1.钛酸锌在晶硅太阳电池中的应用。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，将钛酸锌作为晶硅太阳电池中的电子选择层。

3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述电子选择层的厚度为1‑100nm。

4.一种晶硅太阳电池，其特征在于，由下至上，依次为下金属电极层、下透明导电薄膜层、钛酸锌电子选择层、下钝化薄膜层、晶硅衬底、上钝化薄膜层、空穴选择层、上透明导电薄膜层、上金属电极层。

5.根据权利要求4所述的晶硅太阳电池，其特征在于，所述下钝化薄膜层覆盖整个晶硅衬底下表面，所述钛酸锌电子选择层覆盖整个下钝化薄膜层，所述下透明导电薄膜层覆盖整个钛酸锌电子选择层，所述下金属电极层覆盖整个下透明导电薄膜；所述上钝化薄膜层覆盖整个晶硅衬底上表面，所述空穴选择层覆盖整个上钝化薄膜层，所述上透明导电薄膜层覆盖整个空穴选择层上表面，所述上金属电极层部分覆盖上透明导电薄膜。

6.根据权利要求4所述的晶硅太阳电池，其特征在于，所述晶硅衬底为N型或P型晶硅，厚度为10‑300μm；

所述下钝化薄膜层和上钝化薄膜层相同或者不同的选自以下薄膜中的任意一种或两种：氧化硅薄膜、氢化非晶硅薄膜、氧化铝薄膜以及氮化硅薄膜；所述下钝化薄膜层和上钝化薄膜层的厚度均为0.5‑10nm；

所述空穴选择层材料为氧化钼、重掺杂P型非晶硅、微晶硅或碳化硅，厚度为1‑100nm；

所述下透明导电薄膜层和上透明导电薄膜层相同或者不同的选自以下薄膜中的任意一种或两种：氧化铟锡薄膜层、氧化锌薄膜层，所述下透明导电薄膜层和上透明导电薄膜层的厚度均为10‑100nm；

所述下金属电极层为铝电极或银电极，所述上金属电极层为铝电极或银电极。

7.一种根据权利要求3‑6任一项所述的晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：对晶硅衬底进行清洗后表面制绒，然后在晶硅衬底下表面依次沉积下钝化薄膜层、钛酸锌电子选择层、下透明导电薄膜层、下金属电极层；在晶硅衬底上表面依次沉积上钝化薄膜层、空穴选择层、上透明导电薄膜层、上金属电极层。

8.根据权利要求7所述的晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述下金属电极层、下透明导电薄膜层、钛酸锌电子选择层、下钝化薄膜层、上钝化薄膜层、空穴选择层、上透明导电薄膜层、上金属电极层的制备采用以下方法中的任意一种或多种：热蒸发、溶液法、气相沉积法、磁控溅射法。