1.一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构，为周期结构，其特征在于每个单元包括损耗层和三维带阻结构；损耗层与三维带阻结构间留有空气间隙；

所述损耗层包括第一介质基片、以及分别设置在第一介质基片上下表面的第一吸波面、第二吸波面；所述第一吸波面与所述第二吸波面空间垂直设置；

所述第一吸波面包括依次串联的第一金属线、第一射频电阻、第二金属线；所述第二吸波面包括依次串联的第三金属线、第二射频电阻、第四金属线；所述第一射频电阻、所述第二射频电阻、第一介质基片的中心位于同一直线；第一金属线、第二金属线、第三金属线、第四金属线的结构相同，其均包括折线部分和直线部分；折线部分的一端连接直线部分的一端，直线部分的另一端连接位于同一吸波面的射频电阻；

所述损耗层的等效电路为串联LC电路，其等效电感数值为6.1‑14.05nH，对应的等效电容数值为0.064‑0.135pF；

所述三维带阻结构位于损耗层的下方，且与损耗层垂直设置；其包括第二至五介质基片、四根金属条；

所述第二介质基片、第三介质基片、第四介质基片、第五介质基片围合成两端开放的中空长方体结构；所述长方体结构的其中两相邻介质基片内侧分别设有两根金属条；每块介质基片的两根金属条位于介质基片靠近损耗层端和远离损耗层端；

位于同一块介质基片的两根金属条最远端距离为0.4λ0‑0.6λ0，其中λ0表示吸波带中心频点对应波长。

2.根据权利要求1所述的一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构，其特征在于位于同一块介质基片的两根金属条最远端距离为0.5λ0，其中λ0表示吸波带中心频点对应波长。

3.根据权利要求1所述的一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构，其特征在于第一金属线、第二金属线、第三金属线、第四金属线的长度均为0.3λ0‑0.5λ0，其中λ0表示吸波带中心频点对应波长。

4.根据权利要求1所述的一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构，其特征在于所述空气间隙的厚度为0.15λ0‑0.35λ0，其中λ0表示吸波带中心频点对应波长。

5.根据权利要求1所述的一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构，其特征在于单根金属条的等效电感数值范围为8.1‑17.7nH，对应的等效电容数值为0.06‑0.11pF。

6.根据权利要求1所述的一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构，其特征在于单根金属条的长度为0.3λ0‑0.5λ0，其中λ0表示吸波带中心频点对应波长。

7.根据权利要求1所述的一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构，其特征在于所述金属条为类C型结构，其开口朝向所在介质基板的中心。

8.根据权利要求7所述的一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构，其特征在于所述金属条采用弯折线结构。

9.根据权利要求1所述的一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构，其特征在于所述第一介质基片的尺寸与所述第二介质基片、第三介质基片、第四介质基片、第五介质基片围合成长方体结构的开放端尺寸相同。