1.一种含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质，其特征在于，其化学通式为Li7‑b‑aMaPS6‑bXb、Li7‑b‑2aMaPS6‑bXb、Li7‑b‑3aMaPS6‑bXb、Li7‑b+2aP1‑aMaS6‑bXb、Li7‑b+aP1‑aMaS6‑bXb、Li7‑b‑aP1‑aMaS6‑bXb、Li7‑d‑cMcPS6‑dXd、Li7‑d‑2cMcPS6‑dXd、Li7‑d‑3cMcPS6‑dXd、Li7‑d+2cP1‑cMcS6‑dXd或Li7‑d+cP1‑cMcS6‑dXd；

其中，a的取值范围为0.05≤a≤0.95；b的取值范围为1

优选地，0.1≤a≤0.5，1.3≤b≤1.7，0.1≤c≤0.5，1.3≤d≤1.7；

所述X为卤族元素F、I、Br、I中的一种或多种；

所述M为Ag、Cu、Ge、Zn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、B、Al、In、Ga、As、Sb、Sc、Y、Nb、Mo、Si、Sn、Zr、W中的一种或多种。

2.如权利要求1所述的含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质，其特征在于，所述的含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质通过二元体系卤化物或二元体系硫化物掺杂LiyPS7‑zXz硫银锗矿型硫化物固体电解质获得；

其中，y的取值范围为5≤y<6；z的取值范围为1

所述二元体系的卤化物包括MX、MX2、MX3、MX4或MX6；

所述二元体系的硫化物包括M2S、MS、M2S3或MS2。

3.如权利要求2所述的含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质，其特征在于，所述MX选自AgX、CuX中的一种或几种；

所述MX2选自GeX2、MnX2、FeX2、CuX2、ZnX2中的一种或几种；

所述MX3选自AlX3、GaX3、InX3、SbX3、ScX3、YX3、VX3、FeX3中的一种或几种；

所述MX4包括GeX4、SnX4、ZrX4、TiX4、VX4中的一种或几种；

所述MX6选自WX6；

优选地，选用MX得到的含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质对应的通式为Li7‑b‑aMaPS6‑bXb；

优选地，选用MX2得到的含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质通式为Li7‑b‑

2aMaPS6‑bXb；

优选地，选用MX3得到的含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质通式为Li7‑b‑

3aMaPS6‑bXb或Li7‑b+2aP1‑aMaS6‑bXb；

优选地，选用MX4得到的含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质通式为Li7‑b+aP1‑aMaS6‑bXb；

优选地，选用MX6得到的含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质通式为Li7‑b‑aP1‑aMaS6‑bXb。

4.如权利要求2所述的含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质，其特征在于，所述M2S选自Ag2S、Cu2S中的一种或几种；

所述MS选自GeS、CuS、ZnS、SnS、MnS、FeS中的一种或几种；

所述M2S3选自Al2S3、Ga2S3、In2S3、As2S3、Sb2S3、Sc2S3、Y2S3、Nb2S3、Cr2S3、Fe2S3中的一种或几种；

所述MS2选自FeS2、SiS2、GeS2、SnS2、TiS2、ZrS2、VS2、CuS2、WS2、MoS2中的一种或几种；

优选地，选用M2S得到的含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质通式为Li7‑d‑cMcPS6‑dXd；

优选地，选用MS得到的含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质通式为Li7‑d‑

2cMcPS6‑dXd；

优选地，选用M2S3得到的含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质通式为Li7‑d‑3cMcPS6‑dXd或Li7‑d+2cP1‑cMcS6‑dXd；

优选地，选用MS2得到的含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质通式为Li7‑d+cP1‑cMcS6‑dXd。

5.一种含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质的制备方法，其特征在于，包括以下任一种途径：

(1)将二元体系卤化物或二元体系硫化物中的一种与LiX、P2S5、Li2S混合后进行第一次球磨，第二次球磨，压片，煅烧后冷却至室温，即得含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质材料；

(2)将二元体系卤化物或二元体系硫化物中的一种与LiX、P2S5、Li2S混合后进行第一次球磨，压片，烧结，保温后冷却至室温，即得含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质材料。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一次球磨的转速为50‑200r/min；

所述第一次球磨的时间为0.5‑2h。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第二次球磨的转速为400‑700r/min；

所述第二次球磨时间为8‑12h；

优选地，所述煅烧温度为400‑500℃；

所述煅烧时间为1‑24h；

优选地，所述煅烧的升温速率为0.5‑1℃/min；

优选地，所述煅烧后冷却至室温的冷却速率为2‑10℃/min。

8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述烧结温度为550‑700℃；

所述烧结时间为24‑60h；

优选地，所述烧结升温速率为0.4‑1℃/min；

优选地，所述保温温度为400‑500℃；

所述保温时间为1‑24h；

优选地，所述保温后冷却至室温冷却速率为2‑10℃/min；

所述烧结温度到保温温度的冷却速率为0.3‑1℃/min。

9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)和(2)得到含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质材料后还包括将其制成粉末。

10.权利要求5‑9任一项所述的制备方法制备得到的含卤化锂包覆层的硫银锗矿型硫化物固体电解质。