1.一种电控光强吸收装置，其特征在于，包括衬底、第一导电层、电光材料层、第一贵金属部、第二导电层，所述第一导电层置于所述衬底上，所述电光材料层置于所述第一导电层上，所述电光材料层的表面设有周期性排布的凹槽，所述第一贵金属部填充在所述凹槽内，所述第二导电层覆盖所述电光材料层和所述第一贵金属部的表面，所述第二导电层的材料为石墨烯；其中，所述电光材料层的厚度小于100纳米，所述第一贵金属部的高度小于40纳米，所述凹槽的底部与所述第一导电层之间的距离小于40纳米，所述第一贵金属部为扁平的圆盘形，所述凹槽为圆台形，靠近所述第一导电层一侧所述圆台形的截面积小，靠近所述电光材料层表面一侧所述圆台形的截面积大。

2.如权利要求1所述的电控光强吸收装置，其特征在于：所述第二导电层中石墨烯的层数少于10层。

3.如权利要求1所述的电控光强吸收装置，其特征在于：所述第一贵金属部的材料为金或银。

4.如权利要求1所述的电控光强吸收装置，其特征在于：所述电光材料层的材料为铌酸锂。

5.如权利要求1所述的电控光强吸收装置，其特征在于：所述第一导电层的材料为金或银。

6.如权利要求1所述的电控光强吸收装置，其特征在于：所述衬底为石英玻璃。

7.如权利要求6所述的电控光强吸收装置，其特征在于：所述第一导电层的厚度大于10纳米、小于20纳米。

8.如权利要求7所述的电控光强吸收装置，其特征在于：所述第一导电层上设有第二贵金属部，所述第二贵金属部置于所述第一贵金属部的下侧。

9.如权利要求8所述的电控光强吸收装置，其特征在于：所述第二贵金属部的材料为金或银。