1.一种纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将溶有硫粉的溶液与Mo2CTx水溶液混合，所述溶有硫粉的溶液的溶剂为乙二胺，调节反应体系pH至1‑3，分离出反应体系中的固体产物，对其清洗后干燥，得S/Mo2CTx；

（2）在流动的保护气制造的隔氧环境下，将硫粉置于保护气上游，将所述S/Mo2CTx置于保护气下游，加热使所述硫粉形成硫蒸气，该硫蒸气将所述S/Mo2CTx中的Mo2C原位还原成Mo2S，即得MoS2/Mo2CTx复合材料，所述加热的温度为400~800℃，反应时间为2~4小时。

2.根据权利要求1所述的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料的合成方法，其特征在于，步骤（1）中，所述Mo2CTx与硫粉的质量比为1:3~8。

3. 根据权利要求2所述的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料的合成方法，其特征在于，步骤（1）中，所述溶有硫粉的溶液中硫粉的质量浓度控制在20 70 mg/mL。

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4.根据权利要求1所述的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料的合成方法，其特征在于，步骤（1）中，所述Mo2CTx水溶液是由Mo2CTx分散在水中形成。

5. 根据权利要求4所述的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料的合成方法，其特征在于，步骤（1）中，所述Mo2CTx水溶液中Mo2CTx的浓度控制在0.4~0.8 mg/mL。

6.根据权利要求1所述的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料的合成方法，其特征在于，步骤（1）中，将所述溶有硫粉的溶液与Mo2CTx水溶液混合后搅拌时间不少于1小时后再调节反应体系pH至酸性。

7.根据权利要求6所述的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料的合成方法，其特征在于，采用盐酸、硫酸、硝酸、醋酸调节反应体系pH。

8.根据权利要求1所述的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料的合成方法，其特征在于，步骤（1）中，所述反应体系pH调节完后对反应体系搅拌不小于12小时。

9.根据权利要求1所述的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料的合成方法，其特征在于，步骤（1）中，将所述固体产物清洗至中性。

10.根据权利要求1所述的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料的合成方法，其特征在于，步骤（1）中，所述干燥温度为50 80℃，干燥时间为10 24小时。

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11.根据权利要求1所述的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料的合成方法，其特征在于，步骤（2）中，所述Mo2CTx与硫粉的质量比为1：10~50。

12.根据权利要求11所述的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料的合成方法，其特征在于，所述加热的升温速度为2 5℃/min。

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13.根据权利要求1所述的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料的合成方法，其特征在于，步骤（2）中，所述保护气包括氩气、氮气或氦气中的任意一种或至少两种的组合。

14. 根据权利要求1所述的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料的合成方法，其特征在于，所述保护气体的流速为40 100 SCCM。

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15.权利要求1‑14任一项所述的合成方法得到的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料，其特征在于，二维结构的所述MoS2原位结合在所述Mo2CTx导电基体表面以及该导电基体中。

16.权利要求15所述的MoS2/Mo2CTx复合材料或者权利要求1‑14任一项所述的合成方法得到的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料在储能器件的应用。

17.根据权利要求16所述的应用，其特征在于，权利要求15所述的MoS2/Mo2CTx复合材料或者权利要求1‑14任一项所述的合成方法得到的纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料用作钠离子电池、钠离子电容器的负极材料。