1.一种基于电流源的偏置电路，其特征在于：包含P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP3、P型MOS管MP4、N型MOS管MN0、N型MOS管MN1、N型MOS管MN2、N型MOS管MN3、N型MOS管MN4、电阻R1、电阻R2、偏置电流源Iref、VDD电压端、参考电压Vref1、参考电压Vref2、S互补信号端、S’互补信号端、偏置电流Ib；

其中，偏置电流源Iref的一端分别连接VDD电压端、P型MOS管MP1的源极、P型MOS管MP3的源极，偏置电流源Iref的另一端分别连接N型MOS管MN0的漏极、N型MOS管MN0的栅极、N型MOS管MN1的栅极、N型MOS管MN3的栅极，N型MOS管MN0的源极接地，N型MOS管MN1的源极接地，N型MOS管MN1的漏极连接N型MOS管MN2源极，N型MOS管MN2的栅极连接VDD电压端，N型MOS管MN2的漏极分别连接电阻R1的一端和参考电压Vref1，电阻R1的另一端分别连接电阻R2的一端、P型MOS管MP1的栅极、P型MOS管MP3的栅极，电阻R2的另一端分别连接参考电压Vref2、P型MOS管MP2的漏极，P型MOS管MP2的栅极接地，P型MOS管MP2的源极连接P型MOS管MP1的漏极，P型MOS管MP3的漏极连接P型MOS管MP4的源极，P型MOS管MP4的栅极连接S’互补信号端，P型MOS管MP4的漏极连接偏置电流Ib，N型MOS管MN3源极接地，N型MOS管MN3的漏极连接N型MOS管MN4的源极，N型MOS管MN4的栅极连接S互补信号端，N型MOS管MN4的漏极连接偏置电流Ib。