1.一种B、N共掺杂TiO2光催化剂负载化制备方法，其特征在于，所述B、N共掺杂TiO2光催化剂负载化制备方法包括：

进行供硼剂的制备，通过加热制备的所述供硼剂得到B原子、N原子，令得到的B原子、N原子与加热后的Ti粉末发生自蔓燃反应，在金属丝网沉积生成TiBN；

令生成的TiBN与O2发生氧化反应形成B2O3、TiO2，液态B2O3渗入TiO2中形成B掺杂的TiO2，同时掺杂B和N的TiO2负载在金属丝网上，即得到B、N共掺杂TiO2光催化剂。

2.如权利要求1所述B、N共掺杂TiO2光催化剂负载化制备方法，其特征在于，步骤一中，所述供硼剂的制备方法包括：

首先，按质量百分数称取6wt％B、4wt％B4C、10wt％B‑Fe、3wt％Al2O3、7wt％Si、10wt％木炭和60wt％石墨的粉末，过50‑150目筛；

其次，将称取的B、B4C、B‑Fe、Al2O3、Si、木炭和石墨的粉末填装至混料机，混合24h，得到供硼剂。

3.如权利要求1所述B、N共掺杂TiO2光催化剂负载化制备方法，其特征在于，所述B原子、N原子与加热后的Ti粉末发生自蔓燃反应，在金属丝网沉积生成TiBN化学式如下：

2Ti+N2+2B＝2TiBN。

4.如权利要求1所述B、N共掺杂TiO2光催化剂负载化制备方法，其特征在于，所述生成的TiBN与O2发生氧化反应形成B2O3、TiO2化学式如下：

2TiBN+3.5O2＝2TiO2(s)+B2O3(l)+N2(g)；

其中，s、l和g分别表示固体、液体和气体。

5.如权利要求1所述B、N共掺杂TiO2光催化剂负载化制备方法，其特征在于，所述B、N共掺杂TiO2光催化剂负载化制备方法包括以下步骤：步骤一，进行供硼剂的制备；将制备的供硼剂放置于供硼室内，同时将预先获取的钛粉末和金属丝网放置于反应室内，盖上供硼室和反应室盖板，并关闭所有阀门；

步骤二，将所述供硼室、反应室抽真空至‑0.1MPa；向真空的供硼室中注入氮气与氧气；

气体注入结束后，控制供硼室进行加热；同时控制反应室进行加热；

步骤三，判断反应室的温度是否达到预设阈值，若达到，则向供硼室中充入氮气，打开供硼室、反应室的连接阀门，令供硼室中的由供硼剂加热生成的B原子、N原子从供硼室进入反应室，同时与钛粉末和金属丝网反应，在金属丝网上沉积TiBN薄膜；

步骤四，判断反应室达到预设阈值是否超过1.5h，若超过，则停止向供硼室充入氮气，同时关闭供硼室、反应室的连接阀门，并向反应室中注入氧气，令沉积的TiBN薄膜发生氧化反应，保温1.0‑1.5h之后停止注入氧气；

步骤五，待合成装置降温至室温时，打开排气阀，再打开盖板，取出负载有B、N共掺杂TiO2光催化剂的金属丝网，即可。

6.如权利要求5所述B、N共掺杂TiO2光催化剂负载化制备方法，其特征在于，步骤一中，所述预先获取的钛粉末的纯度为99％、粒度为200目；

步骤一中，所述注入氮气与氧气包括：充入95％的N2和5％O2至真空压力表为+0.1MPa。

7.如权利要求5所述B、N共掺杂TiO2光催化剂负载化制备方法，其特征在于，步骤二中，所述控制供硼室与反应室的加热包括：将供硼室的温度加热至850℃，保温时间1h；将反应室温度加热至580℃±10℃，保温时间30min；

步骤三中，所述反应室温度预设阈值为580℃。

8.一种利用权利要求1～7任意一项所述制备方法制备的B、N共掺杂TiO2光催化剂。

9.一种实施如权利要求1‑7任意一项所述B、N共掺杂TiO2光催化剂负载化制备方法的B、N共掺杂TiO2光催化剂合成装置，其特征在于，所述B、N共掺杂TiO2光催化剂合成装置设置有：

氧气瓶、氧气流量计、氮气流量计、供硼室盖板、第一热电偶、供硼管、第一真空压力表、氮气进气阀门、氧气进气阀门、进气管、控制阀、反应室盖板、第二热电偶、放气阀、真空泵、出气管、排气阀、第二真空压力表、加热电阻丝、反应室、金属丝网、钛粉末、物料托盘、物料支架、供硼气氛控制阀门、耐火砖、供硼室、活性硼原子、供硼剂、过滤网、氮气瓶、第三真空压力表。

10.一种半导体光催化材料器件，其特征在于，所述半导体光催化材料器件由权利要求

1‑7任意一项所述B、N共掺杂TiO2光催化剂负载化制备方法制备。