1.一种单晶太阳能电池薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、以BaS粉末和ZrS2粉末按化学计量比为1:1为反应材料，将真空封好的靶材转移至管式炉中进行高温热处理，从室温加热至900‑1000℃，加热速率7℃/min，保温15h，待炉内温度降至室温，得到BaZrS3靶材；

S2、将步骤S1中合成得到的BaZrS3靶材和清洗好的YSZ衬底放入脉冲激光沉积系统；

S3、对YSZ衬底进行真空室温沉积镀膜得到BaZrS3非晶薄膜；

S4、取出步骤S3所得的产物，将其在真空度下进行封管，并放入管式炉中以5‑8℃/min的速率升温至900‑1100℃，保温时间5‑10h，得到BaZrS3单晶太阳能电池薄膜材料。

2.权利要求1所述的单晶太阳能电池薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中的真‑4空度为10 Pa。

3.根据权利要求1所述的单晶太阳能电池薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中合成好的BaZrS3靶材需用砂纸进行表面打磨，并用导电碳胶粘到靶托上；YSZ基片分别用丙酮、酒精、去离子水进行超声波清洗，清洗时间为5min、5min、10min；将清洗好的YSZ基片用氮气吹干，并用导电银浆粘到基片托上；将放有靶材的靶托和放有YSZ的基片托放入脉冲激光沉积系统的溅射室中，靶材和YSZ基底的间距控制在5‑6cm。

4.根据权利要求1所述的单晶太阳能电池薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤S3中‑5脉冲激光沉积系统的真空度为10 Pa,温度为室温，激光光束的频率为8Hz，发射能量为

200mJ，沉积脉冲数为8000。

5.权利要求1所述的单晶太阳能电池薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤S4中的的‑4真空度为10 Pa。

6.一种根据权利要求1‑5任一项所述方法制备的单晶太阳能电池薄膜材料。