1.AgNWs/rGO/TPU柔性应变传感器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1)、将聚氨酯溶解于溶剂I，得聚氨酯溶液；再将聚氨酯溶液静电纺，得到TPU静电纺薄膜；溶剂I为N,N‑二甲基甲酰胺；

2)、设定AgNWs：GO＝1:1的质量比，设定水合肼：GO＝7:10的质量比；然后进行如下步骤：

2.1)、将AgNWs分散液加入到GO分散液中，搅拌均匀，得到AgNWs/GO混合分散液；

所述GO分散液为氧化石墨烯分散于溶剂II中所得；

所述AgNWs分散液为银纳米线分散于溶剂III中所得；

2.2)、将溶剂II、氨水和水合肼混合，搅拌均匀，得到溶剂II/NH3·H2O/N2H4·H2O混合溶液；

氨水：(步骤2.1)GO分散液所用溶剂II+步骤2.2)所用溶剂II)＝(6±0.5)％的体积比；

2.3)、将上述AgNWs/GO混合分散液加入到溶剂II/NH3·H2O/N2H4·H2O的混合溶液中，于

90～100℃的温度进行还原反应，从而还原GO，还原反应时间为10～30min；

静置冷却至室温，随后离心固液分离，固相为AgNWs/rGO，将其分散在溶剂III中，得到AgNWs/rGO/溶剂分散液；

所述AgNWs/rGO/溶剂分散液中AgNWs/rGO的质量分数为0.5wt％；

溶剂II为N,N‑二甲基甲酰胺；溶剂III为乙醇；

3)、将AgNWs/rGO/溶剂分散液涂覆到TPU静电纺薄膜的表面，湿膜晾干后形成涂膜层；

所得命名为AgNWs/rGO/TPU应变感应材料；

湿膜厚度为(0.25±0.05)mm；

4)、将AgNWs/rGO/TPU应变感应材料制备成AgNWs/rGO/TPU柔性应变传感器；

所述步骤1)中：

聚氨酯溶液的质量分数为10wt％～20wt％；所述静电纺过程中静电纺温度为30℃，湿度为80～85％，电压为20kV，转速为1000r/min，注射速度为1.5mL/h，静电纺时间为6‑8h；

所述步骤4)为：

在AgNWs/rGO/TPU应变感应材料的涂膜层上设置铜箔金属电极，并引出导线，再采用绝缘柔性封装材料封装成三明治结构，得到AgNWs/rGO/TPU柔性应变传感器。

2.如权利要求1所述方法制备而得的具有高灵敏度的AgNWs/rGO/TPU柔性应变传感器。