1. 一种原位快速测量微/纳发光材料变温光谱的方法，其特征在于该方法由下述步骤组成：步骤1：银纳米薄膜包覆发光材料的制备将发光材料加入去离子水中，室温超声均匀后滴在预先洗净的玻璃片上，置于烘箱里完全烘干，随后通过热蒸发镀膜仪在玻璃片上的发光材料表面蒸镀一层银纳米薄膜，得到银纳米薄膜包覆的发光材料；

步骤2：银纳米岛包覆发光材料的制备

将银纳米薄膜包覆的发光材料用激光照射，使银纳米薄膜形成银纳米岛，得到银纳米岛包覆的发光材料；

步骤3：发光材料变温光谱的测量

将银纳米岛包覆的发光材料用不同功率的激光照射，得到不同温度下发光材料的荧光光谱。

2.根据权利要求1所述的原位快速测量微/纳发光材料变温光谱的方法，其特征在于：步骤1中，蒸镀的银纳米薄膜的厚度为15～25nm。

3.根据权利要求1所述的原位快速测量微/纳发光材料变温光谱的方法，其特征在于：其特征在于：步骤1中，烘箱的温度为50～70℃。

4.根据权利要求1所述的原位快速测量微/纳发光材料变温光谱的方法，其特征在于：其特征在于：步骤2中，所述激光的波长为980nm、照射功率为60mW或者激光的波长为532nm、照射功率为20mW。

5.根据权利要求4所述的原位快速测量微/纳发光材料变温光谱的方法，其特征在于：步骤2中，照射的时间为1～5秒。

6.根据权利要求1所述的原位快速测量变微/纳发光材料温光谱的方法，其特征在于：

3+ 3+ 3+ 3+ 3+

步骤1中，所述发光材料为NaYF4:RE 、YF3:RE 、 LaF3: RE 、NaYbF4:RE 、NaGdF4:RE 、

3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+NaLaF4:RE 中任意一种，RE 是Er 、Yb 、Ho 、Tb 、Eu 、Nd 、Pr 、Sm 、Dy 中任意一个或两个。

7.根据权利要求6所述的原位快速测量变微/纳发光材料温光谱的方法，其特征在于：

3+ 3+ 3+

步骤1中，所述发光材料为NaYF4:RE 或YF3:RE 时，步骤2中用激光照射后，NaYF4:RE 、YF3:

3+ 3+ 3+ 3+ 3+

RE 相变为YOF:RE 或者Y2O3:RE ，步骤1中，所述发光材料为LaF3:RE 或NaLaF4:RE 时，步

3+ 3+ 3+ 3+

骤2中用激光照射后，LaF3:RE 、NaLaF4:RE 相变为LaOF:RE 或者La2O3:RE ，步骤1中，所述

3+ 3+ 3+

发光材料为NaYbF4:RE 时，步骤2中用激光照射后，NaYbF4:RE 相变为YbOF:RE 或者Yb2O3:

3+ 3+ 3+

RE ，步骤1中，所述发光材料为NaGdF4:RE 时，步骤2中用激光照射后，NaGdF4:RE 相变为

3+ 3+

GdF3:RE 或者Gd2O3:RE ，步骤3对应测量的是相变产物的变温光谱。

8.根据权利要求1所述的原位快速测量微/纳发光材料变温光谱的方法，其特征在于：步骤3中，所述激光照射的激发波长根据发光材料的吸收光谱或者激发光谱确定。