1.一类强供电子基氟硼二吡咯衍生物，其特征在于，所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物的分子结构通式为以下任意一种，分别采用BDP‑D‑R，BOP‑P‑R表示：其中，R和R^可以相同，也

可以不同，R和R^选自以下结构中的任意一种：其中，R7可独立地选自具有正整数个碳原子的直链、支链、环状烷基链或环状烷醚中的任何一种。

2.如权利要求书1所述一类强供电子基氟硼二吡咯衍生物的制备方法，其特征在于，所述BDP‑D‑R合成路线如下所示：其中，

3.如权利要求书1所述一类强供电子基氟硼二吡咯衍生物的制备方法，其特征在于，所述BDP‑P‑R合成路线如下所示：其中，

4.如权利要求1所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物的应用，其特征在于，所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物作为受体材料掺杂制作光电探测器材料。

5.如权利要求4所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物的应用，其特征在于，所述光电探测器可为体异质结型或平面异质结型器件。

6.如权利要求4所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物的应用，其特征在于，所述光电探测器依次层叠设置有：ITO导电玻璃层、空穴注入层、活性层、电子传输层、金属阴极层；所述活性层由异质结薄膜构成，所述异质结薄膜由异质结供体材料和异质结受体材料组成，所述异质结供体材料为所述aza‑BODIPY衍生物构成，所述异质结受体材料为富勒烯及富勒烯衍生物或非富勒烯材料任意一种。

7.如权利要求6所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物的应用，其特征在于，所述富勒烯衍生物为C60、C70、PC61BM、PC71BM中的任意一种。

8.如权利要求6所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物的应用，其特征在于，所述空穴注入层为PEDOT：PSS。

9.如权利要求6所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物的应用，其特征在于，所述的电子传输层为富勒烯材料C60、TPBi、Balq，膜厚为8‑12nm，或Ca，Mg金属中的任意一种。

10.如权利要求1所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物的应用，其特征在于，所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物可用作光学元件，应用于信息的光调制、光解调、柔性成像装置。