1.一种基于开关电容的逆变电路，其特征在于，包括直流电压源、充电电感、开关电容模块和逆变全桥；

所述直流电压源的正极与充电电感的一端电连接，所述充电电感的另一端与开关电容模块的第一输入端电连接；

所述直流电压源的负极与开关电容模块的第二输入端电连接；所述开关电容模块的输出端与逆变全桥的输入端电连接；

所述逆变全桥的输出端与外接设备电连接；

所述开关电容模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电容、第二电容、第一二极管和第二二极管；

所述第一MOS管的源极与第二MOS管的漏极、第三MOS管的漏极和第二电容的正极分别电连接；所述第一MOS管的源极作为开关电容模块的第一输入端与充电电感的另一端电连接；

所述第一MOS管的漏极与第一电容的正极电连接；

所述第二MOS管的源极与第二二极管的阴极电连接；所述第二MOS管的源极作为开关电容模块的第二输入端与直流电压源的负极电连接；

所述第三MOS管的源极与第四MOS管的漏极、第一电容的负极分别电连接；

所述第四MOS管的源极与第二二极管的阳极、第一二极管的阴极分别电连接；

所述第一二极管的阳极与第二电容的负极电连接。

2.根据权利要求1所述的基于开关电容的逆变电路，其特征在于，所述逆变全桥包括第一IGBT管、第二IGBT管、第三IGBT管和第四IGBT管；

所述第一IGBT管的漏极与第一MOS管的漏极、第一电容的正极和第三IGBT管的漏极分别电连接；

所述第一IGBT管的源极与第二IGBT管的漏极电连接，且所述第一IGBT管的源极作为逆变全桥的第一输出端；

所述第二IGBT管的源极与第一二极管的阳极、第二电容的负极和第四IGBT管的源极分别电连接；

所述第三IGBT管的源极与第四IGBT管的漏极电连接，且所述第三IGBT管的源极作为逆变全桥的第二输出端。

3.根据权利要求2所述的基于开关电容的逆变电路，其特征在于，所述开关电容模块中的第三MOS管导通，第一MOS管、第二MOS管、第四MOS管关断；所述逆变全桥中的第一IGBT管和第四IGBT管导通，第二IGBT管和第三IGBT管关断，或第二IGBT管和第三IGBT管导通，第一IGBT管和第四IGBT管关断。

4.根据权利要求2所述的基于开关电容的逆变电路，其特征在于，所述开关电容模块中第一MOS管和第四MOS管导通，第二MOS管和第三MOS管关断；逆变全桥中的第一IGBT管和第四IGBT管导通，第二IGBT管和第三IGBT管关断，或第一IGBT管和第三IGBT管导通，第二IGBT管和第四IGBT管关断，或第二IGBT管和第四IGBT管导通，第一IGBT管和第三IGBT管关断，或第二IGBT管和第三IGBT管导通，第一IGBT管和第四IGBT管关断。

5.根据权利要求2所述的基于开关电容的逆变电路，其特征在于，所述开关电容模块中的第二MOS管导通，第一MOS管、第三MOS管和第四MOS管关断；逆变全桥中的第一IGBT管导通和第三IGBT管导通，第二IGBT管导通和第四IGBT管关断，或第二IGBT管导通和第四IGBT管导通，第一IGBT管导通和第三IGBT管关断。

6.根据权利要求2所述的基于开关电容的逆变电路，其特征在于，所述开关电容模块中的第二MOS管导通和第三MOS管导通，第一MOS管和第四MOS管关断；逆变全桥中的第一IGBT管导通和第四IGBT管导通，第二IGBT管导通和第三IGBT管关断，或第二IGBT管导通和第三IGBT管导通，第一IGBT管导通和第四IGBT管关断。

7.根据权利要求2所述的基于开关电容的逆变电路，其特征在于，所述开关电容模块中的第一MOS管导通和第二MOS管导通，第三MOS管和第四MOS管关断；逆变全桥中的第一IGBT管导通和第四IGBT管导通，第二IGBT管导通和第三IGBT管关断，或第二IGBT管导通和第三IGBT管导通，第一IGBT管导通和第四IGBT管关断。