1.一种卤铜铯晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：晶体母液的制备：

①按铜与铯的原子比为2：1称量铜源和铯源；

②将称量好的铜源、铯源、氢卤酸混合均匀，氢卤酸过量，装入密闭反应釜中进行水热反应，在100‑110℃温度条件下，反应一段时间，形成卤铜铯CsCu2X3，晶体母液；

卤铜铯晶体生长：

①在上述卤铜铯母液中，缓慢加入晶体生长剂；

②使卤铜铯晶体从母液中析出，然后经过常压干燥或真空干燥的方法，得到卤铜铯CsCu2X3晶体，X为Br或I。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的晶体生长剂为甲醇、丙醇或乙二醇。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1使用的原料中，铜源为铜粉；铯源为氯化铯、溴化铯、碘化铯；氢卤酸为氢溴酸、氢碘酸。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1中水热反应时间为1‑11小时。

5.根根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤2中干燥温度是40‑100℃。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤2中所述的缓慢滴加为逐滴滴加方式。

7.根根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述卤铜铯晶体的尺寸为3‑1mm。