1.一种提高花青素合成含量的花楸干细胞。

2.一种提高花楸干细胞花青素含量的培养基，其特征在于，所述培养基为魔芋培养基；

其中，每升所述魔芋培养基包括：1‑3g魔芋粉，0.5‑3mgFeCl2和0.5‑5g硝酸钾。

3.一种提高花青素合成含量的花楸干细胞的培养方法，其特征在于，所述培养的方法包括以下具体步骤：

(1)干细胞组织的制备：将花楸无菌苗的根尖预处理后，转接至魔芋诱导培养基上培养

25‑30d，再转接至魔芋增殖培养基经过5‑10次继代培养后，即得到干细胞组织；

(2)花青素的诱导和积累：将所述干细胞组织转接至花青素诱导培养基上培养15‑20d后，再转接至花青素积累培养基培养25‑30d，即得一种花青素高含量花楸干细胞。

4.根据权利要求3所述的培养方法，其特征在于，所述预处理步骤为：取花楸无菌苗的根尖0.1mm，置于含有0.1％KH2PO4+0.1％MgCl2的甘油溶液中处理12h，然后冲洗擦干后依次转移到‑20℃下暗处理8‑10h、0℃下暗处理30min和10℃下暗处理30min。

5.根据权利要求3所述的培养方法，其特征在于，步骤(1)所述魔芋诱导培养基为添加

0.5‑3mg/L 2,4‑D和0.5‑2mg/L 6‑BA的魔芋培养基。

6.根据权利要求3所述的培养方法，其特征在于，步骤(1)所述魔芋增殖培养基为添加

0.5‑1mg/L 2,4‑D的魔芋培养基。

7.根据权利要求3所述的培养方法，其特征在于，步骤(2)所述花青素诱导培养基为添加0.01‑0.05％Ge‑132、0.1‑0.5mg/L 6‑BA和0.5‑2mg/L 2,4‑D的魔芋培养基。

8.根据权利要求3所述的培养方法，其特征在于，步骤(2)中所述花青素积累培养基为添加0.01‑0.05％Ge‑132+0.1‑0.5mg/L 6‑BA的魔芋培养基。

9.根据权利要求3所述的培养方法，其特征在于，步骤(2)中所述培养的条件为：在26‑

28℃和光强1500‑2000LX的照光条件下培养。

10.根据权利要求9所述的培养方法，其特征在于，所述照光时间为14h/24h。