1.一种超疏水导热多层膜的制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：

（1）采用PECVD技术以高纯甲烷和四氟化碳为碳源气体在单晶硅基片表面制备碳膜，PECVD沉积参数为：射频功率300～450W，射频频率13.56MHz，基片温度350～400℃，腔体压强50～90Pa，通入高纯甲烷气体流量30～50sccm，通入高纯四氟化碳气体流量10～20sccm，沉积时间30～50分钟；

（2）采用磁控溅射技术以高纯铜为靶材在步骤（1）中所生长的碳膜表面溅射沉积铜纳米膜；

（3）采用PECVD技术以高纯甲烷和四氟化碳为碳源气体在步骤（2）中所生长的铜纳米膜表面再次沉积碳膜，PECVD沉积参数为：射频功率300～450W，射频频率13.56MHz，基片温度

350～400℃，腔体压强50～90Pa，通入高纯甲烷气体流量30～50sccm，通入高纯四氟化碳气体流量10～20sccm，沉积时间30～50分钟；

（4）依次重复步骤（2）、步骤（3）2～4次；

（5）对步骤（4）中所制备的多层膜在氢气氛围保护下实施高温烧结处理；

（6）采用PECVD技术以高纯四氟化碳为工作气体对步骤（5）中所烧结处理后的多层膜实施等离子体处理，获得超疏水导热多层膜。

2.根据权利要求1所述的一种超疏水导热多层膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中高纯甲烷的纯度为99.999%及以上，高纯四氟化碳的纯度为99.9999%。

3.根据权利要求1所述的一种超疏水导热多层膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中高纯铜靶的纯度为99.9995%及以上，磁控溅射沉积参数为：射频功率180～280W，射频频率

13.56MHz，基片温度350～400℃，腔体压强3～10Pa，通入纯度为99.999%及以上的氩气气体流量5～15sccm，沉积时间20～40秒。

4.根据权利要求1所述的一种超疏水导热多层膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中高纯甲烷的纯度为99.999%及以上，高纯四氟化碳的纯度为99.9999%。

5.根据权利要求1所述的一种超疏水导热多层膜的制备方法，其特征在于，步骤（5）中氢气纯度为99.999%及以上，高温烧结的温度为450～500℃，高温烧结时间为1～2小时。

6.根据权利要求1所述的一种超疏水导热多层膜的制备方法，其特征在于，步骤（6）中高纯四氟化碳的纯度为99.9999%及以上，PECVD等离子体处理的参数为：射频功率300～

450W，射频频率13.56MHz，基片温度350～400℃，腔体压强50～90Pa，通入高纯四氟化碳气体流量30～40sccm，等离子体处理时间5～10分钟。