1.一种痕量原位碳诱导的Si3N4导热陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.改性：将Si3N4粉末在酸性溶液中酸洗，去除杂质氧化物，然后在碱性溶液中与烧结助剂一起球磨、陈化和烘干，得改性Si3N4和烧结助剂混合粉末；

S2.成型：在步骤S1所得混合粉末中加入有机物混合均匀，随后将混合物成型，得到胚体；

S3.一次烧结：将坯体在200‑1000℃下进行烧结，使胚体脱脂并生成痕量原位活性碳；

S4.二次烧结：经步骤S3处理后的坯体在1700～1900℃进行热压烧结，通过痕量原位活性碳实现高长径比、高β‑Si3N4相含量和高致密化，得Si3N4导热陶瓷材料；

步骤S2中所述有机物的用量为Si3N4粉末质量的2～8％，所述有机物包括聚乙二醇、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯醇、聚酯、聚酰胺、聚丙烯腈中的一种或多种；

步骤S3中还包括不少于两次的保温过程，所述保温温度为400℃和700℃，或350℃、520℃和750℃，或300℃、600℃和850℃，或400℃、700℃和900℃；

步骤S3中生成的原位活性碳的含量为0.1～1.0％。

2.根据权利要求1所述的痕量原位碳诱导的Si3N4导热陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述酸性溶液包括HNO3、HCl、H2SO4、醋酸的一种或多种，酸性溶液浓度为2～

5％。

3.根据权利要求1所述的痕量原位碳诱导的Si3N4导热陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述碱性溶液包括NaOH、KOH、氨水，碱性溶液浓度为3～8％。

4.根据权利要求1所述的痕量原位碳诱导的Si3N4导热陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述成型过程为挤压成型、模压成型或等静压成型的任意一种。

5.根据权利要求1所述的痕量原位碳诱导的Si3N4导热陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤S4二次烧结时的压力为5～10MPa。

6.一种权利要求1～5任一项所述制备方法得到的Si3N4导热陶瓷材料。