1.一种直流升压功率因数校正电路的仿真方法，其特征在于，所述直流升压功率因数校正电路的仿真电路包括用分数阶电容逼近电路表示的输入电容、用分数阶电感逼近电路表示的电感和半导体开关器件；

所述方法包括：

分别计算得到所述输入电容的第一阻抗函数以及所述电感的第二阻抗函数；

对所述第一阻抗函数展开得到所述分数阶电容逼近电路、以及对所述第二阻抗函数展开得到所述电感分数阶电感电路；

采用双脉冲实验对所述半导体开关器件中的器件参数进行优化，得到所述半导体开关器件的半导体开关器件模型；

基于所述分数阶电容逼近电路、所述分数阶电感逼近电路以及所述半导体开关器件模型，生成所述仿真电路。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用双脉冲实验对所述半导体开关器件中的器件参数进行优化，得到所述半导体开关器件的半导体开关器件模型，包括：确定所述半导体开关器件建模过程中所需的额定电压和额定电流；

在所述额定电压和所述额定电流下，对所述半导体开关器件进行双脉冲实验，测量得到反映所述半导体开关器件的动态特性的参数；

从所述半导体开关器件的数据手册中获取用于反映所述半导体开关器件的静态特性的参数；

将所述动态特性参数和所述动态特性参数输入所述半导体开关器件对应的模型中，得到所述半导体开关器件模型。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分别计算得到所述输入电容的第一阻抗函数以及所述电感的第二阻抗函数，包括：采用Charef逼近方法分别计算得到所述输入电容的第一阻抗函数以及所述电感的第二阻抗函数，所述第一阻抗函数和所述第二阻抗函数均为正实函数，所述第一阻抗函数的分子分母的幂次相同，所述第二阻抗函数的分子分母的幂次相同。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一阻抗函数展开得到所述分数阶电容逼近电路，包括：

采用福斯特综合法对所述第一阻抗函数展开，得到所述分数阶电容逼近电路，所述分数阶电容逼近电路包括M个分数阶电容逼近电路单元，M为正整数；每个所述分数阶电容逼近电路单元包括并联设置的电阻模块和电容模块，在M≥2的情况下，M个所述分数阶电容逼近电路单元串联设置。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第二阻抗函数展开得到所述分数阶电感电路，包括：

采用福斯特综合法对所述第二阻抗函数展开，得到所述分数阶电感逼近电路，所述分数阶电感逼近电路包括N个分数阶电感逼近电路单元，N为正整数；每个所述分数阶电感逼近电路单元包括并联设置的电阻模块和电感模块，在N≥2的情况下，N个所述分数阶电感逼近电路单元串联设置。

6.一种直流升压功率因数校正电路的仿真电路，其特征在于，所述仿真电路包括仿真电路本体和等效的高频电流环路，所述等效的高频电流环路包括分数阶电容逼近电路、分数阶电感逼近电路和基于双脉冲实验得到的半导体开关器件模型；

所述半导体开关器件模型的漏极与所述分数阶电感逼近电路的一端相连，所述分数阶电感逼近电路的另一端与所述分数阶电容逼近电路的一端相连，所述分数阶电容逼近电路的另一端与所述半导体开关器件模型的源极相连；

所述分数阶电感逼近电路、所述分数阶电容逼近电路、所述半导体开关器件模型的漏极和源极均与所述仿真电路本体相连。

7.根据权利要求6所述的仿真电路，其特征在于，所述分数阶电感逼近电路的阶数为α，所述分数阶电容逼近电路的阶数为β，其中0＜α＜1且0＜β＜1。

8.根据权利要求6所述的仿真电路，其特征在于，所述分数阶电感逼近电路，包括：N个分数阶电感逼近电路单元，N为正整数；每个所述分数阶电感逼近电路单元包括并联设置的电阻模块和电感模块，在N≥2的情况下，N个所述分数阶电感逼近电路单元串联设置。

9.根据权利要求6所述的仿真电路，其特征在于，所述分数阶电容逼近电路，包括：M个分数阶电容逼近电路单元，M为正整数；每个所述分数阶电容逼近电路单元包括并联设置的电阻模块和电容模块，在M≥2的情况下，M个所述分数阶电容逼近电路单元串联设置。

10.一种处理器，其特征在于，包括：处理器、存储器和通信总线，其中，处理器和存储器通过通信总线完成相互间的通信；

所述存储器，用于存储计算机程序；

所述处理器，用于执行所述存储器中所存储的程序，实现权利要求1‑5任一项所述的直流升压功率因数校正电路的仿真方法。

11.一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1‑5任一项所述的直流升压功率因数校正电路的仿真方法。