1.一种滤光片镀膜装置，包括腔室，其特征在于，所述腔室内安装有溅射发生器以及设置在溅射发生器正下方的载具，所述溅射发生器设置在腔室内顶壁处，所述溅射发生器包括放电电极与定位座，所述定位座内设有多个定位通道，各所述定位通道内设置有靶材，所述定位通道始端连接所述放电电极，所述载具包括工作盘、驱动所述工作盘转动的旋转机构以及支座，所述工作盘上端面设有多个收容腔，各所述收容腔内设置有基片，所述收容腔内设有第二连接部，所述第二连接部卡合连接所述基片，所述腔室壁面处设有第一电磁屏蔽层；

所述工作盘底部设有引流单元，所述引流单元主要由支撑件与引流件组成，所述支撑件设置在所述支座与所述工作盘之间，所述引流件用于通电形成电性引流区域，所述电性引流区域在高度上的投影面积大于所述收容腔沿水平面的截面面积；所述引流件呈蜂窝状或多圈环状均匀分布在所述支撑件的上端面，所述引流件在通电状态下，其顶端呈正极性；

所述腔室连接有气体控制单元，所述气体控制单元用于排空所述腔室内气体或流通等离子体载荷气体，并监控所述腔室内压力状态；所述气体控制单元包括分别流体连接所述腔室的第一气腔、第二气腔、第三气腔以及设置在所述腔室内的压力传感器，所述第一气腔通过导流泵排空所述腔室或将所述腔室恢复为常压状态，所述第二气腔通过输入气管密封连接所述腔室，所述输入气管上安装有输入计量泵，所述第三气腔通过输出气管密封连接所述腔室，所述输出气管上安装有输出计量泵。

2.根据权利要求1所述的一种滤光片镀膜装置，其特征在于：所述定位通道内设有第一连接部，所述第一连接部卡合连接所述靶材，所述定位通道末端设有定位挡板，所述定位挡板上设有定位口。

3.根据权利要求1所述的一种滤光片镀膜装置，其特征在于：所述支撑件上设有第二电磁屏蔽层。

4.根据权利要求1所述的一种滤光片镀膜装置，其特征在于：还包括降温单元，所述降温单元包括换热器，所述换热器对称设置在所述腔室的内侧壁面。

5.根据权利要求1所述的一种滤光片镀膜装置，其特征在于：所述旋转机构包括转动杆与连接件，所述连接件固定连接所述工作盘，所述转动杆贯穿所述支撑件且转动连接所述支撑件，所述工作盘与所述支撑件之间设有间隔空间。

6.一种滤光片镀膜工艺，其特征在于：适用于如权利要求1至5中任一项所述的滤光片镀膜装置，包括：

抛光基片的待镀膜面层并清洗，以去除基片镀膜面层不良杂质，其后，通过氮气热流升温干燥基片，将完成干燥的多个基片相应安置于工作盘的多个收容腔内，基片可暴露出待镀膜面层，将含均匀分布镀膜材料的靶材安置于定位通道中，对正定位挡板的定位口，并使基片与靶材相对设置；

打开第一阀门，通过导流泵配合第一气腔将腔室内排为真空，再关闭第一阀门，打开第二阀门，通过输入气管与输入计量泵配合将第二气腔内氩气导入腔室，再打开第三阀门，通过输出气管配合输出计量泵将腔室内氩气排出至第三气腔，并使氩气在腔室内流通的输入量与输出量一致；

启动溅射发生器，通过放电电极电离等离子载荷气体产生金属离子冲击靶材发生磁控溅射，将镀膜材料溅射至待镀膜面层，利用工作盘底部的引流件通电形成电性引流区域，以将溅射粒子定向引流至工作盘上端面的基片上，同时，由旋转机构驱动工作盘发生旋转进行镀膜，通过换热器排出镀膜过程积聚的热量，以完成镀膜；

其后，关闭第二阀门，由输出气管配合输出计量泵将腔室内氩气排出至第三气腔，将腔室排空，再关闭第三阀门，打开第一阀门，通过导流泵配合第一气腔将腔室恢复为常压状态；

取出镀膜完成的基片，检测膜层。

7.根据权利要求6所述的一种滤光片镀膜工艺，其特征在于：所述引流件呈蜂窝状或多圈环状均匀分布在工作盘底部，所述引流件在通电状态下，其顶端呈正极性。

8.根据权利要求6所述的一种滤光片镀膜工艺，其特征在于：磁控溅射时，所述腔室内氩气的流通量在15‑38sccm，氩气的压力为0.4‑0.6Pa。