1.一种低功耗的横向阶梯分离栅器件结构其特征在于：其元胞结构包括第二掺杂类型衬底(1)、SiO2埋氧层(21)、第一掺杂类型漂移区(32)、第二掺杂类型P条(43)、栅氧化槽(24)、第二掺杂类型源端重掺杂区(41)、第一掺杂类型源端重掺杂区(31)、第二掺杂类型阱区(42)、源极接触电极(51)、栅氧化层1 (22)和栅氧化层2 (23)、平面栅1(54)和平面栅2(55)、槽栅(53)、第一块阶梯分离栅(56)、第二块阶梯分离栅(57)、漏极接触电极(52)、第一掺杂类型漏端重掺杂区(33)；所述第二掺杂类型衬底(1)上表面设置有SiO2埋氧层(21)；所述SiO2埋氧层(21)上端置有第二掺杂类型P条(43)、第一掺杂类型漂移区(32)和栅氧化槽(24)并且其三者在Z方向上交替排列；所述第一掺杂类型漂移区(32)中设置有栅氧化槽(24)，其中栅氧化槽(24)从最左边依次含有槽栅(53)、第一块阶梯分离栅(56)和第二块阶梯分离栅(57)，其三者内部由SiO2相互隔离，成阶梯状分布；所述第二掺杂类型阱区(42)包括第二掺杂类型重掺杂区(41)和第一掺杂类型重掺杂区(31)，其上端是源极接触电极(51)；所述的栅氧化层1 (22)和栅氧化层2 (23)以槽栅(53)为中心呈两边对称分布，栅氧化层1 (22)和栅氧化层2 (23)其上端分别是平面栅1(54)和平面栅2(55)；所述的第一掺杂类型漂移区(32)和第二掺杂类型P条(43)右上侧置有第一掺杂类型漏端重掺杂区(33)，其上端是漏极接触电极(52)。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗的横向阶梯分离栅器件结构，其特征在于：所述的第二掺杂类型P条(43)、第一掺杂类型漂移区(32)和栅氧化槽(24)在Z方向上交替排列，第一掺杂类型漂移区(32)的两侧分别是第二掺杂类型P条(43)和栅氧化槽(24)。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗的横向阶梯分离栅器件结构，其特征在于：所述的栅氧化槽(24)中从最左侧依次放置槽栅(53)、第一块阶梯分离栅(56)和第二块阶梯分离栅(57)，并由SiO2相互隔离，呈阶梯状分布。

4.根据权利要求1所述的一种低功耗的横向阶梯分离栅器件结构，其特征在于：所述的平面栅1(54)和平面栅2(55)以栅氧化槽(24)中的槽栅(53)为中心呈两边对称分布。