1.一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池,其特征在于:包括P型硅基体(1)、遂穿超薄氧化层(2)、非晶硅N+层(3)、氮化硅钝化膜(4)、局域硼背场(5)、金属正电极(6)和金属负电极(7),所述P型硅基体(1)的正面设置为绒面,所述P型硅基体(1)的背面设置有遂穿超薄氧化层(2),所述遂穿超薄氧化层(2)上设置有磷掺杂退火的非晶硅N+层(3),所述非晶硅N+层(3)的外侧设置有氮化硅钝化膜(4),所述P型硅基体(1)的背面设置有局域硼背场(5),所述P型硅基体(1)的背面沉积隔离掩膜,采用激光蚀刻在隔离掩膜上蚀刻显露出局域硼背场(5)区域的P型硅基体(1)的背面,在蚀刻区域进行硼注入,激光烧蚀形成局域硼背场(5),化学腐蚀清除所有的隔离掩膜,所述局域硼背场(5)穿透氮化硅钝化膜(4)连接有金属正电极(6),所述非晶硅N+层(3)上连接有金属负电极(7)。
2.如权利要求1所述的一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池,其特征在于:所述P型硅基体(1)的正面设置为蜂窝状绒面。
3.如权利要求1所述的一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池,其特征在于:所述P型硅基体(1)的正面依次设置有氧化硅钝化层(8)和氮氧化硅减反层(9)。
4.如权利要求1所述的一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池,其特征在于:所述P型硅基体(1)为P型单晶硅或P型多晶硅,所述P型硅基体(1)的厚度为400‑500微米。
5.一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤一:以P型硅基体(1)为衬底,采用金属催化化学刻蚀法湿法制绒处理在P型硅基体(1)的正面制备绒面,对P型硅基体(1)进行超声波清洗沥干水分;
步骤二:在步骤一处理后的P型硅基体(1)的正面依次沉积氧化硅钝化层(8)和氮氧化硅减反层(9);
步骤三:在步骤二处理后的P型硅基体(1)的背面沉积隔离掩膜,采用激光蚀刻在隔离掩膜上蚀刻显露出局域硼背场(5)区域的P型硅基体(1)的背面,在蚀刻区域进行硼注入,激光烧蚀形成局域硼背场(5),化学腐蚀清除所有的隔离掩膜;
步骤四:在步骤三处理后的P型硅基体(1)的背面生长遂穿超薄氧化层(2);
步骤五:在步骤四处理后的P型硅基体(1)的遂穿超薄氧化层(2)上通过磷掺杂高温退火的方式形成非晶硅N+层(3);
步骤六:在步骤五处理后的P型硅基体(1)的非晶硅N+层(3)上沉积氮化硅钝化膜(4);
步骤七:在步骤六处理后的P型硅基体(1)的局域硼背场(5)对应区域蚀刻出局域硼背场(5)电极接入点,连接金属正电极(6),在非晶硅N+层(3)上连接金属负电极(7);
步骤八:在步骤七处理后的P型硅基体(1)表面进行浆料丝网印花,低温烧结后完成电池片的制备。