1.一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池，其特征在于：包括P型硅基体（1）、遂穿超薄氧化层（2）、非晶硅N+层（3）、氮化硅钝化膜（4）、局域硼背场（5）、金属正电极（6）和金属负电极（7），所述P型硅基体（1）的正面设置为绒面，所述P型硅基体（1）的背面设置有遂穿超薄氧化层（2），所述遂穿超薄氧化层（2）上设置有磷掺杂退火的非晶硅N+层（3），所述非晶硅N+层（3）的外侧设置有氮化硅钝化膜（4），所述P型硅基体（1）的背面设置有局域硼背场（5），所述P型硅基体（1）的背面沉积隔离掩膜，采用激光蚀刻在隔离掩膜上蚀刻显露出局域硼背场（5）区域的P型硅基体（1）的背面，在蚀刻区域进行硼注入，激光烧蚀形成局域硼背场（5），化学腐蚀清除所有的隔离掩膜，所述局域硼背场（5）穿透氮化硅钝化膜（4）连接有金属正电极（6），所述非晶硅N+层（3）上连接有金属负电极（7）。

2.如权利要求1所述的一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池，其特征在于：所述P型硅基体（1）的正面设置为蜂窝状绒面。

3.如权利要求1所述的一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池，其特征在于：所述P型硅基体（1）的正面依次设置有氧化硅钝化层（8）和氮氧化硅减反层（9）。

4.如权利要求1所述的一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池，其特征在于：所述P型硅基体（1）为P型单晶硅或P型多晶硅，所述P型硅基体（1）的厚度为400‑500微米。

5.一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一：以P型硅基体（1）为衬底，采用金属催化化学刻蚀法湿法制绒处理在P型硅基体（1）的正面制备绒面，对P型硅基体（1）进行超声波清洗沥干水分；

步骤二：在步骤一处理后的P型硅基体（1）的正面依次沉积氧化硅钝化层（8）和氮氧化硅减反层（9）；

步骤三：在步骤二处理后的P型硅基体（1）的背面沉积隔离掩膜，采用激光蚀刻在隔离掩膜上蚀刻显露出局域硼背场（5）区域的P型硅基体（1）的背面，在蚀刻区域进行硼注入，激光烧蚀形成局域硼背场（5），化学腐蚀清除所有的隔离掩膜；

步骤四：在步骤三处理后的P型硅基体（1）的背面生长遂穿超薄氧化层（2）；

步骤五：在步骤四处理后的P型硅基体（1）的遂穿超薄氧化层（2）上通过磷掺杂高温退火的方式形成非晶硅N+层（3）；

步骤六：在步骤五处理后的P型硅基体（1）的非晶硅N+层（3）上沉积氮化硅钝化膜（4）；

步骤七：在步骤六处理后的P型硅基体（1）的局域硼背场（5）对应区域蚀刻出局域硼背场（5）电极接入点，连接金属正电极（6），在非晶硅N+层（3）上连接金属负电极（7）；

步骤八：在步骤七处理后的P型硅基体（1）表面进行浆料丝网印花，低温烧结后完成电池片的制备。