1.一种致密高硬高强的氮化硅陶瓷球的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：S1.将Si3N4粉、MgO粉和Yb2O3粉混合粉体加入溶剂和Si3N4球磨介质球磨，干燥后得混合粉体；

S2.将混合粉体置于球形模具中成型，采用冷等静压通过加压200～300MPa保压，获得Si3N4陶瓷球生坯；

S3.将Si3N4陶瓷球生坯置于管式炉中以第一速率升温至1400～1500℃预烧后，将上述Si3N4陶瓷球生坯置于埋烧粉末中，采用放电等离子烧结以第二速率升温至1000～1200℃时充入保护气氛，再以第三速率升温至1400～1600℃，压力为10～50MPa煅烧，得到Si3N4陶瓷球A和第一次SPS烧结的埋烧粉末；

S4.按照步骤S2制得的Si3N4陶瓷球生坯置于管式炉中以第一速率升温至1400～1500℃预烧后，将上述Si3N4陶瓷球生坯置于研磨过筛后的第一次SPS烧结的埋烧粉末中，采用放电等离子按照步骤S3中所述的条件烧结，得到Si3N4陶瓷球B和第二次SPS烧结的埋烧粉末；

S5.按照步骤S2制得的Si3N4陶瓷球生坯置于管式炉中以第一速率升温至1400～1500℃预烧后，将上述Si3N4陶瓷球生坯置于研磨过筛后的第二次SPS烧结的埋烧粉末中，采用放电等离子按照步骤S3中所述的条件烧结，得到Si3N4陶瓷球C，所述Si3N4陶瓷球B和Si3N4陶瓷球C即为致密高硬高强的Si3N4陶瓷球。

2.根据权利要求1所述的致密高硬高强的氮化硅陶瓷球的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述Si3N4粉和、MgO粉和Yb2O3粉的体积比为(95～98):(1～3):(1～2)。

3.根据权利要求1所述的致密高硬高强的氮化硅陶瓷球的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述Si3N4粉和、MgO粉和Yb2O3粉的纯度均为99.0～99.9wt％，粒径均为0.1～10μm；所述溶剂为乙醇、丙醇、甲醇或丙酮。

4.根据权利要求1所述的致密高硬高强的氮化硅陶瓷球的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述球磨的时间为20～30h；步骤S2中所述保压的时间为5～20min。

5.根据权利要求1所述的致密高硬高强的氮化硅陶瓷球的制备方法，其特征在于，步骤S3‑S5中所述第一速率均为10～20℃/min，步骤S3中所述第二速率和第二速率均为100～

400℃/min。

6.根据权利要求1所述的致密高硬高强的氮化硅陶瓷球的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述预烧的时间为1～2h，所述保护气氛为N2或Ar。

7.根据权利要求1致密高硬高强的氮化硅陶瓷球的制备方法，其特征在于，所述的埋烧粉末为BN粉、SiC粉或C粉中的一种以上；所述埋烧粉末的纯度均为99.0～99.9wt％，粒径均为50～500μm。

8.一种致密高硬高强的Si3N4陶瓷球，其特征在于，所述致密高硬高强的Si3N4陶瓷球是由权利要求1‑7任一项所述的方法制备得到。

9.根据权利要求8所述的致密高硬高强的Si3N4陶瓷球，其特征在于，所述致密高硬高强的Si3N4陶瓷球在加压方向的收缩率为2～3％，前后收缩率为2～3％，左右收缩率为2～3％，致密度为98～100％，室温硬度为40～45GPa，室温强度为800～1000MPa；1000～1200℃高温下的硬度为38～43GPa，强度为780～970MPa。

10.权利要求8或9所述的致密高硬高强的Si3N4陶瓷球在陶瓷轴承领域中的应用。