1.一种GaN同质悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：S1，获取本征GaN基底；

S2，在所述本征GaN基底上外延第一层GaN薄膜，所述第一层GaN薄膜包括第一n型重掺杂区和第一非故意掺杂区，所述第一非故意掺杂区镶嵌于所述第一n型重掺杂区中；

S3，在所述第一层GaN薄膜上外延第二层GaN薄膜；所述第二层GaN薄膜包括第二n型重掺杂区和第二非故意掺杂区，所述第二非故意掺杂区镶嵌于所述第二n型重掺杂区中；所述第二非故意掺杂区包括相互连接的支撑部和悬臂梁部；所述支撑部和所述第一非故意掺杂区重合连接；

S4，通过湿法蚀刻将所述第一n型重掺杂区和所述第二n型重掺杂区腐蚀去除，保留所述第一非故意掺杂区和所述第二非故意掺杂区，形成在本征GaN基底上生长GaN悬臂梁的所述GaN同质悬臂梁结构。

2.根据权利要求1所述的GaN同质悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，步骤S1中，通过在蓝宝石或者硅衬底上生长GaN获得所述本征GaN基底。

3.根据权利要求1所述的GaN同质悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述第一非故意掺杂区镶嵌于所述第一n型重掺杂区中的结构，通过两步外延法得到：先选区外延所述第一非故意掺杂区，再选区外延所述第一n型重掺杂区。

4.根据权利要求1所述的GaN同质悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述第一非故意掺杂区镶嵌于所述第一n型重掺杂区中的结构，通过两步外延法得到：先选区外延所述第一n型重掺杂区，再选区外延所述第一非故意掺杂区。

5.根据权利要求1所述的GaN同质悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述第一非故意掺杂区镶嵌于所述第一n型重掺杂区中的结构，为通过先外延一层GaN本征薄膜，再对所述GaN本征薄膜选区掺杂而得到。

6.根据权利要求1所述的GaN同质悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，所述第一非故意掺杂区为长方体形。

7.根据权利要求6所述的GaN同质悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，所述悬臂梁部为长方条形，垂直连接于所述支撑部。

8.根据权利要求1所述的GaN同质悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，所述支撑部的厚度为所述第一非故意掺杂区的厚度的1.5～5倍。

9.根据权利要求1所述的GaN同质悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，步骤S4中，通过电化学湿法刻蚀或者光辅助电化学湿法刻蚀，来将所述第一n型重掺杂区和所述第二n型重掺杂区腐蚀去除。

10.一种GaN同质悬臂梁结构，其特征在于，根据权利要求1～9任意一项所述的GaN悬臂梁的制备方法制备得到；所述GaN同质悬臂梁结构包括本征GaN基底和在所述本征GaN基底上生长的GaN支撑座和GaN悬臂梁，所述GaN支撑座由所述支撑部和所述第一非故意掺杂区重合连接而成，所述GaN悬臂梁由所述悬臂梁部形成。