1.一种多孔氮化硅陶瓷零件，其特征在于：由以下质量百分比的原料制造而成：

2.根据权利要求1所述的多孔氮化硅陶瓷零件，其特征在于：SiO2粉末粒径D50≤1μm，纯度99.5％以上；硅粉为工业硅粉，粒径D50≤1μm，纯度99.5％以上。

3.根据权利要求1所述的多孔氮化硅陶瓷零件，其特征在于：α‑Si3N4中α相＞95％，粉末粒径为1～10μm。

4.根据权利要求1所述的多孔氮化硅陶瓷零件，其特征在于：活性炭粒径D50≤100nm；

助烧剂为Y2O3。

5.一种权利要求1‑4任一项所述的多孔氮化硅陶瓷零件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

(a)制备混合料：

(b)选择性激光烧结技术制作零件素坯；

(c)首次真空压力浸渍；

(d)首次冷等静压处理；

(e)排胶处理；

(f)第二次真空压力浸渍；

(g)第二次冷等静压处理；

(h)碳热还原‑反应烧结。

6.根据权利要求5所述的多孔氮化硅陶瓷零件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

(a)制备混合料：

将SiO2、活性炭、助烧剂、硅粉、α‑Si3N4混合，加入总质量的2倍无水乙醇，以α‑Si3N4球作为球磨介质在尼龙罐中球磨1～2h，干燥，过200目筛，然后与粘结剂混合；

(b)采用选择性激光烧结技术制作零件素坯；

(c)首次真空压力浸渍：

将零件素坯体置入真空箱中，抽真空至100pa～200pa，保压15～60min后注入8％～

30％浓度的纳米α‑Si3N4悬浮液浸没，真空保持10min～20min，常压静置15min～60min，充入氮气对浸渍液渗压20～60min，压力200Pa～300pa，于80℃～120℃干燥1h～3h，得到首次真空压力浸渍的零件素坯，将零件素坯使用包套密封包覆后进行抽真空处理；

(d)首次冷等静压处理：

升降压速度2‑8MPa/s，压力升至150～250MPa，保压15～30s再降压；

(e)排胶处理：

以2～4℃/min的速度升至粘结剂软化点温度减去10℃，再以2℃/min的升温速度升至

150～170℃，保温1.5h，最后以2℃/min的速度升至粘结剂分解温度加50℃，保温2h；

(f)对零件素坯第二次真空压力浸渍：(g)第二次冷等静压处理：

升降压速度2MPa/s～4MPa/s，压力升至200～300MPa，保压15～30s再降压；

(h)碳热还原反应烧结：

置于1atm的流动氮气气氛烧结炉中，以2～8℃/min速度升至烧结温度，1200℃～1300℃，保温1～2h；再以10℃/min将温度升至1700℃～1800℃，保温2h，得到多孔氮化硅陶瓷零件。

7.根据权利要求6所述的多孔氮化硅陶瓷零件的制造方法，其特征在于：粘结剂为双酚A型环氧树脂，粒径为10‑50μm；粘结剂的加入质量与原料的总质量比为100:5～100:20。

8.根据权利要求6所述的多孔氮化硅陶瓷零件的制造方法，其特征在于：步骤b中激光器为35～60W的CO2激光器，预加热温度为40～60℃，单层厚度为0.1～0.2mm，扫描间距为

0.1～0.2mm，扫描速度800～4000mm/s。

9.根据权利要求6所述的多孔氮化硅陶瓷零件的制造方法，其特征在于：采用选择性激光烧结技术制作零件素坯的相对密度为30％～35％。

10.根据权利要求6所述的多孔氮化硅陶瓷零件的制造方法，其特征在于：第二次冷等静压处理后的零件素坯相对密度为58％～62％。