1.无应力冲击宽负载范围直流变换器，其特征在于，包括复位电路、移相变换器、变压器T1和整流电路；

所述复位电路包括复位变压器TR、电容CBL和MOS管SA1和MOS管SA2，复位变压器TR的副边绕组与电容CBL串联然后并联于MOS管SA1的栅极和MOS管SA2的源极；MOS管SA1的栅极与电源Vin正极连接，MOS管SA1的源极与MOS管SA2的栅极连接，MOS管SA2的源极与电源Vin负极连接；

MOS管SA1和MOS管SA2形成的支路与移相变换器的输入端连接；复位变压器TR原边绕组异名端与移相变换器第一输出端口连接，复位变压器TR原边绕组同名端与变压器T1的原边绕组连接异名端连接，变压器T1的原边绕组连接同名端与移相变换器第二输出端口连接；变压器T1的副边与整流电路连接；

所述移相变换器包括超前桥臂和滞后桥臂，所述超前桥臂包括串行连接的自关断器件S1和自关断器件S2；所述滞后桥臂包括串行连接的自关断器件S3和自关断器件S4。

2.根据权利要求1所述的基于过零检测无应力冲击宽负载范围直流变换器，其特征在于，所述MOS管SA1的栅极与电源Vin正极之间连接有二极管DA1，所述MOS管SA2的源极与电源Vin负极之间连接有二极管DA2。

3.根据权利要求1所述的基于过零检测无应力冲击宽负载范围直流变换器，其特征在于，所述MOS管SA1两端并联有电容Cin1，所述MOS管SA2两端并联有电容Cin2。

4.根据权利要求1所述的基于过零检测无应力冲击宽负载范围直流变换器，其特征在于，所述自关断器件S1并联有电容C1，所述自关断器件S2并联有电容C2。

5.根据权利要求4所述的基于过零检测无应力冲击宽负载范围直流变换器，其特征在于，所述自关断器件S1、自关断器件S2、自关断器件S3和自关断器件S4上均反并联有二极管。

6.根据权利要求1所述的基于过零检测无应力冲击宽负载范围直流变换器，其特征在于，所述自关断器件S1、自关断器件S2、自关断器件S3和自关断器件S4均为三极管。

7.根据权利要求1所述的基于过零检测无应力冲击宽负载范围直流变换器，其特征在于，所述MOS管SA1和MOS管SA2为导通电阻1.5Ω。

8.根据权利要求1所述的基于过零检测无应力冲击宽负载范围直流变换器，其特征在于，MOS管SA1和MOS管SA2的源漏极间雪崩电压30V。

9.权利要求1所述的直流变换器的控制策略，其特征在于，S1：导通自关断器件S1和自关断器件S4，关断自关断器件S2和自关断器件S3，导通MOS管SA1和MOS管SA2，复位变压器TR副边短路，原边也相应短路，输入能量通过变压器T1传到输出侧，副边整流二极管DR1导通；

S2：关断自关断器件S1，自关断器件S1零电压关断，复位电路中的电容Cin1和电容Cin2充放电，电容C1上电压线性上升，电容C2上电压线性下降，电容C2的电压降为零后，二极管D2导通；

S3：自关断器件S4仍处于导通状态，自关断器件S1、自关断器件S2和自关断器件S3仍处于关断状态，MOS管SA1关断，MOS管SA2仍然导通，变压器T1初级电压为零，次级被短路，此时，复位变压器TR和电容CBL接在电源Vin上，使得二极管DA1被反向击穿，原边电流IP通过复位变压器TR向电容CBL充电，原边电流IP逐渐减小，预测原边电流IP的下降趋势，在下降到原边电流IP零之前再次开通MOS管SA1，使结电容对原边电流的影响刚好使得原边电流IP降为零且不会反向恢复；

S4：原边电流IP降为零时关断自关断器件S4；

S5：原边电流为零时开通自关断器件S3，导通自关断器件S2，关断自关断器件S1和自关断器件S4，MOS管SA1和SA2MOS管导通，此时复位变压器TR副边与电容接CBL在1/2Vin电源上，复位变压器TR副边和原边短路，复位变压TR通过变压器T1的电压变为负电压，使得副边二极管DR2导通，原边向副边传递能量，关断自关断器件S2；

S6：自关断器件S3仍处于导通状态，自关断器件S1、S4处于关断状态，MOS管SA1、SA2仍然导通，复位电路中的电容Cin1和电容Cin2充放电；

S7：自关断器件S3仍处于导通状态，自关断器件S1、自关断器件S2和自关断器件S4仍处于关断状态，MOS管SA1仍然导通，关断MOS管SA2，变压器T1初级电压为零，次级被短路，此时复位变压器TR和电容CBL接在电源Vin上，原边电流IP向电容CBL充电，原边电流IP逐渐减小，预测原边电流IP的下降趋势，在下降到零之前再次开通MOS管SA2，使结电容对原边电流的影响刚好使得原边电流IP降为零且不会反向恢复；

重复S1‑S7。