1.一种半串式双向变换器电路，其特征在于：包括输入电路、输出电路；

所述输入电路由开关变压器T1、电感L1、开关管Q1、二极管D1、二极管D2、电容C1组成；

所述开关变压器T1，包括初级绕组W1、次级绕组W2；

其中，所述输入电路内部的电路连接关系为：直流输入端正极IN+分别与电感L1的一端、二极管D1的负极连接，电感L1的另一端分别与初级绕组W1的x1端、开关管Q1的漏极连接，初级绕组W1的x2端与电容C1的一端连接，电容C1的另一端分别与二极管D1的正极、二极管D2的负极连接，二极管D2的正极与开关管Q1的源极连接后再与直流输入端负极IN‑连接，开关管Q1的栅极与控制信号H1连接；

所述输出电路，由二极管D5、二极管D4、二极管D3、电感L2、电容C2组成；

其中，所述输出电路内部的电路连接关系为：所述开关变压器T1的次级绕组W2的一端s1与二极管D4的正极连接，次级绕组W2的另一端s2与二极管D5的正极连接，二极管D4的负极与二极管D5的负极连接后再分别与二极管D3的负极、电感L2的一端连接，电感L2的另一端分别与电容C2的正极、直流输出端正极OUT+连接，电容C2的负极分别与二极管D3的正极、次级绕组W2的中心抽头、直流输出端负极OUT‑连接；

其中，所述控制信号H1为方波信号。

2.如权利要求1所述的一种半串式双向变换器电路，其特征在于，所述开关管Q1为NMOS场效应管Q1。