1.基于涂覆抗反射涂层的层状堆叠结构的级联折射率传感器，其特征在于，包括载物平台和设置在所述载物平台上的信号发射器、磁场发生器、角度控制旋转台、耦合器、层状堆叠结构、微型电机和光谱分析仪；所述信号发射器、磁场发生器、角度控制旋转台、耦合器和光谱分析仪分别与微型电机电连接；所述耦合器与光谱分析仪连接；所述角度控制旋转台和耦合器分别与层状堆叠结构连接；所述层状堆叠结构包括主体结构和位于主体结构两端的抗反射涂层；所述主体结构包括依次排列的介质A1和介质InSb1；所述抗反射涂层包括依次排列的介质InSb2、介质A1和介质A2。

2.根据权利要求1所述的基于涂覆抗反射涂层的层状堆叠结构的级联折射率传感器，其特征在于，所述折射率传感器的级联功能通过调整磁场强度的大小实现；所述磁场强度为0T时，测量的折射率范围为1.1‑1.5；所述磁场强度为1.25T时，测量的折射率范围为1.5‑

1.8。

3.根据权利要求1所述的基于涂覆抗反射涂层的层状堆叠结构的级联折射率传感器，

6 45

其特征在于，所述层状堆叠结构的介质排列顺序为InSb2A1(InSb1A2) (InSb1A1) (InSb1A2)7

InSb2。

4.根据权利要求3所述的基于涂覆抗反射涂层的层状堆叠结构的级联折射率传感器，

45

其特征在于，介质排列组(InSb1A1) 为层状堆叠结构的主体结构；介质排列组InSb2A1

6 7

(InSb1A2) 和(InSb1A2) InSb2为层状堆叠结构的抗反射涂层。

5.根据权利要求1所述的基于涂覆抗反射涂层的层状堆叠结构的级联折射率传感器，其特征在于，所述介质A1和A2为相同的待测物质，折射率nA1＝nA2，厚度分别为dA1＝2μm，dA2＝1.8μm。

6.根据权利要求5所述的基于涂覆抗反射涂层的层状堆叠结构的级联折射率传感器，其特征在于，所述介质InSb1和InSb2均为InSb介质；磁场强度为0T时，所述介质InSb1和InSb2的折射率分别为nInSb1＝nInSb2＝2.7949；磁场强度为1.25T时，所述介质InSb1和InSb2的折射率分别为n’InSb1＝n’InSb2＝2.7169。

7.根据权利要求1所述的基于涂覆抗反射涂层的层状堆叠结构的级联折射率传感器，其特征在于，所述介质InSb1和InSb2的厚度分别为dInSb1＝7.2μm，dInSb2＝3.6μm。