1.一种利用熔体循环过热消除过共晶铝硅合金中初生硅的方法，其特征在于：首先在高于液相线温度下熔炼Al‑18Si过共晶铝硅合金并进行保温处理，然后将Al‑18Si合金熔体分别在液相线以上温度和液相线温度之间进行1～5次熔体过热循环净化处理，最后将合金熔体在液相线以上温度下浇注到室温金属型中凝固，得到细小无初生硅的Al‑18Si过共晶铝硅合金凝固组织。

2.如权利要求1所述的利用熔体循环过热消除过共晶铝硅合金中初生硅的方法，其特征在于：Al‑18Si过共晶铝硅合金的熔炼温度为750℃、保温时间为30分钟。

3.如权利要求1所述的利用熔体循环过热消除过共晶铝硅合金中初生硅的方法，其特征在于：Al‑18Si过共晶铝硅合金熔体快速冷却至665℃保温30分钟，然后再快速升温至750℃，保温30分钟，此过程为一次熔体循环过热净化处理，熔体循环过热净化处理的次数为1‑

5次。

4.如权利要求1所述的利用熔体循环过热消除过共晶铝硅合金中初生硅的方法，其特征在于：将经过不同次数熔体循环过热净化处理的Al‑18Si合金熔体在750℃下浇注到室温金属型中凝固。