1.一种应变黑磷CMOS场效应晶体管的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤1：选取无杂质且晶格结构完整的SiO2作为衬底；

步骤2：在所述步骤1的衬底上通过干氧氧化法外延一层SiO2，获得初始SiO2外延层，将所述衬底和初始SiO2外延层分为PMOS区域、电隔离层区域和NMOS区域；

步骤3：通过微影技术将NMOS掩膜版的图形转移到所述步骤2获得的初始SiO2外延层上，在所述NMOS区域采用干法刻蚀出第一凹槽，所述第一凹槽的深度T为：T＝T1+T2

式中：T1为HfO2层的厚度；T2为NMOS源漏电极的厚度；

保留非NMOS区域的光刻胶，获得刻蚀出第一凹槽后的SiO2外延层，所述非NMOS区域由所述PMOS区域和所述电隔离层区域组成；

步骤4：在所述步骤3获得的刻蚀出第一凹槽后的SiO2外延层上通过原子层沉积的方法生长一层HfO2，获得初始HfO2层；

步骤5：去除所述NMOS区域以外的初始HfO2层，获得HfO2层；

步骤6：在所述步骤5获得的HfO2层上使用激光辅助结晶的方法生长单层黑磷；

步骤7：对所述步骤5获得的HfO2层进行高温退火，使铪原子扩散至所述步骤6获得的单层黑磷中，在所述单层黑磷中产生双轴压应变，获得应变黑磷层；

步骤8：在所述步骤7获得的应变黑磷层上旋涂光刻胶PMMA，定义源漏电极图形，采用电子束蒸镀和电子束光刻获得NMOS源漏电极；

步骤9：在所述步骤8获得的结构的上表面通过原子层沉积的方法生长一层HfO2，获得初始HfO2栅介质层；

步骤10：去除所述非NMOS区域的初始HfO2栅介质层与光刻胶；

步骤11：通过微影技术将PMOS掩膜版的图形转移到所述非NMOS区域的刻蚀出第一凹槽后的SiO2外延层上，保留非PMOS区域的光刻胶，所述非PMOS区域包括所述NMOS区域和所述电隔离层区域，在所述PMOS区域的初始SiO2外延层上用干法刻蚀出第二凹槽，获得SiO2外延层，所述第二凹槽的深度等于所述NMOS源漏电极的厚度T2；

步骤12：在所述步骤11获得的SiO2外延层上，采用所述步骤6的激光辅助结晶的方法生长出本征黑磷层；

步骤13：在所述步骤12获得的本征黑磷层上旋涂光刻胶PMMA，定义源漏电极图形，采用电子束蒸镀和电子束光刻获得PMOS源漏电极；

步骤14：在所述步骤13获得的结构上表面通过原子层沉积的方法生长一层HfO2，获得再次沉积的HfO2栅介质层；

步骤15：去除所述非PMOS区域的再次沉积的HfO2栅介质层与光刻胶，获得HfO2栅介质层；在所述NMOS区域与所述PMOS区域之间的SiO2外延层为电隔离层；

步骤16：对所述步骤15获得的HfO2栅介质层的两个凹槽处定义栅极图形，采用电子束蒸镀获得栅电极。

2.根据权利要求1所述的应变黑磷CMOS场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤6中使用激光辅助结晶的方法生长单层黑磷的具体步骤为：步骤61：通过压片机向红磷粉末施加压力，获得红磷片；

步骤62：将所述步骤61和步骤5获得的红磷片和HfO2层分别放置直流等离子体反应器的热区和冷区，并在所述HfO2层上沉积有利层；

‑2

步骤63：使用机械泵将所述热区的红磷进行蒸发，当所述热区压力为6×10 Torr时，通入流量为10sccm的H2，使蒸发的红磷沉积在所述冷区的HfO2层上，将所述热区加热至450℃，保温5分钟；

步骤64：将所述步骤63获得的结构放入反应器中，选用1064nm激光源，进行激光辅助结晶，获得单层黑磷。

3.根据权利要求1所述的应变黑磷CMOS场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤7中高温退火在氩气环境下进行，所述高温退火的温度为210℃，所述高温退火的时间为1小时。

4.根据权利要求1所述的应变黑磷CMOS场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤3中HfO2层的厚度T1为7nm，所述步骤4原子层沉积的方法中原子层沉积的温度为200℃。

5.根据权利要求1所述的应变黑磷CMOS场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤2中获得的初始SiO2外延层的厚度为40nm以上50nm以下。

6.根据权利要求1所述的应变黑磷CMOS场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤8中获得的NMOS源漏电极由下至上由粘附层Ⅰ和电极层Ⅰ叠加而成，所述粘附层Ⅰ材料为Ti，所述粘附层Ⅰ厚度为1nm，所述电极层Ⅰ材料为Sc，所述电极层Ⅰ厚度为30nm，所述NMOS源漏电极的厚度T2为所述粘附层Ⅰ厚度加所述电极层Ⅰ厚度。

7.根据权利要求1所述的应变黑磷CMOS场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤13中获得的PMOS源漏电极由下至上由粘附层Ⅱ和电极层Ⅱ叠加而成，所述粘附层Ⅱ材料为Ti，所述粘附层Ⅱ厚度为1nm，所述电极层Ⅱ材料为Au，所述电极层Ⅱ厚度为30nm。

8.根据权利要求1所述的应变黑磷CMOS场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤9中的初始HfO2栅介质层的厚度为10nm，所述原子层沉积的方法中原子层沉积温度为150℃。

9.根据权利要求1所述的应变黑磷CMOS场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤16中获得的栅电极的材料为Ti和Pd的叠加。

10.一种采用权利要求1‑9中任意一项所述的应变黑磷CMOS场效应晶体管的制备方法制备的应变黑磷CMOS场效应晶体管，其特征在于，所述应变黑磷CMOS场效应晶体管结构从下至上依次为：SiO2衬底、SiO2外延层、HfO2层、应变黑磷层和本征黑磷层、源漏电极、HfO2栅介质层以及栅电极，所述源漏电极包括NMOS源漏电极和PMOS源漏电极。