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专利号: 2021107565154
申请人: 武汉工程大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-11-19
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种利用微波等离子体化学气相沉积法在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法,其特征在于包括如下步骤:

1)将钽铌酸钾晶体置于微波等离子体化学气相沉积装置的腔体中,将腔体抽真空后,通入氢气,调节氢气流量、气压和微波功率,产生等离子体包裹钽铌酸钾晶体以实现对其加热,并调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa‑12kPa范围之内;

2)待压强和等离子体状态稳定后,对步骤1)所述腔体内通入甲烷,控制氢气和甲烷的通入流量比,再调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa‑12kPa范围之内;待通入甲烷6‑9h后关闭微波源,待腔体冷却,取出样品,得到在钽铌酸钾晶体上制备的金刚石薄膜。

2.根据权利要求1所述的利用微波等离子体化学气相沉积法在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法,其特征在于,步骤1)中,微波功率为800‑1200W。

3.根据权利要求1所述的利用微波等离子体化学气相沉积法在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法,其特征在于,步骤1)中,氢气流量为150‑250sccm。

4.根据权利要求1所述的利用微波等离子体化学气相沉积法在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法,其特征在于,以钽铌酸钾晶体作为衬底,衬底温度控制在600℃‑800℃。

5.根据权利要求1所述的利用微波等离子体化学气相沉积法在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法,其特征在于,步骤2)中,控制氢气和甲烷的通入流量比为200:5。

6.根据权利要求1所述的利用微波等离子体化学气相沉积法在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法,其特征在于,钽铌酸钾晶体预先使用乙醇、丙酮超声清洗并干燥。

7.根据权利要求1所述的利用微波等离子体化学气相沉积法在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法,其特征在于,步骤1)中抽真空至真空度为10‑100Pa。