1.一种具有纳米结构的半导体薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、原材料的处理

取Nb靶和Cu靶，通过机械打磨、除油、酸洗，除去表面的氧化物和油脂物质；

步骤2、Nb‑Cu合金薄膜的制备

利用步骤1处理后的Nb靶和Cu靶，采用磁控溅射法在基底上形成的厚度为50‑200nm的Nb‑Cu合金薄膜层；所述Nb‑Cu合金薄膜层按原子百分比的成分为NbxCu100‑x，50

步骤3、具有纳米结构的半导体薄膜材料的制备将形成有Nb‑Cu合金薄膜层的基底浸泡在浓度为1mol/L的KOH溶液中，室温下自然脱合金，即获得具有纳米结构的半导体薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述KOH溶液是将KOH颗粒溶于去离子水中配置而成。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述基底为银箔或抛光硅片。

4.一种权利要求1 3中任意一项所述制备方法所制得的具有纳米结构的半导体薄膜材~料。

5.根据权利要求4所述的具有纳米结构的半导体薄膜材料，其特征在于：所述具有纳米结构的半导体薄膜材料是由纳米纤维和多面体纳米颗粒两种纳米结构组成的纳米阵列形貌。

6.根据权利要求4所述的具有纳米结构的半导体薄膜材料，其特征在于：所述具有纳米结构的半导体薄膜材料的成分为铜的氧化物。