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专利号: 2021106689111
申请人: 南京晓庄学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-08-18
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

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1.Mn 掺杂CdS纳米晶的制备方法,其特征在于:取CdCl2·2.5H2O和Mn(CH3COO)2·4H2O,溶于DMSO,充分搅拌溶解后加入MPA;反应混合物加热后,滴加Na2S水溶液,滴加结束后进行2+

氮封回流反应,反应产物用丙酮沉淀后,用甲醇洗涤,再用丙酮洗涤;获得Mn 掺杂CdS纳米晶。

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2.根据权利要求1所述的Mn 掺杂CdS纳米晶的制备方法,其特征在于:Mn 和Cd 摩尔比为1∶20。

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3.根据权利要求1所述的Mn 掺杂CdS纳米晶的制备方法,其特征在于:反应混合物加热到55℃后,滴加现配的Na2S水溶液。

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4.根据权利要求1所述的Mn 掺杂CdS纳米晶的制备方法,其特征在于:Na2S水溶液浓度为48.04g/L。

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5.根据权利要求1所述的Mn 掺杂CdS纳米晶的制备方法,其特征在于:滴加结束后进行氮封回流反应9小时;反应产物用丙酮沉淀后,用甲醇洗涤3次,再用丙酮洗涤。

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6.权利要求1‑5任一项所述的Mn 掺杂CdS纳米晶的制备方法所获得的Mn 掺杂CdS纳米晶。

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7.Mn 掺杂CdS纳米晶膜的制备方法,其特征在于:纳米晶分散于DMSO中制备成1mg·‑1

mL 的分散液;在制膜前,氧化铟锡电极在2M KOH乙醇溶液中煮20min,后用水清洗干净,120℃烘2h备用;50μL纳米晶分散液滴涂到ITO电极表面,80℃处理2h。

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8.权利要求7所述的Mn 掺杂CdS纳米晶膜的制备方法所获得的Mn 掺杂CdS纳米晶膜。

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9.权利要求8所述的Mn 掺杂CdS纳米晶膜在检测多巴胺中的应用。

10.根据权利要求9所述的应用,多巴胺检测的线性浓度范围为5nM~1μM。