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专利号: 2021106573613
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-06-16
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种中空的金‑银‑铂三金属材料的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:利用种子生长法制备金纳米棒:

S10:将10 mL 0.1 M 的CTAB与 0.25 mL 10 mM 的HAuCl4混合于瓶中,用冰水混合物与一定量的NaBH4混合,配成0.01 M 溶液,并加入0.6 mL 于瓶中搅拌,获得种子溶液;

S11:将2.5 mL 0.1 M 的CTAB与0.037 g NaOL在50℃下溶解于21.25 mL水中,溶解后将溶液降温至30℃,之后加入0.9 mL 4 mM 的AgNO3溶液,恒温静置,之后加入0.25 mL 10 mM 的HAuCl4,搅拌,获得生长溶液;

S12:调节生长溶液pH值,通过向生长溶液中加入0.3 mL 37 wt.% HCl调控pH值至1.1~

1.3,之后依次加入75 μL 64 mM 的AA,40 μL 种子溶液并搅拌,恒温静置,恒温静置条件为水浴加热30℃,静置12小时;

S13:对静置后的溶液离心,去除清液,获得的金纳米棒分散于1‑2 mM CTAB中;

步骤S2:取S13中分散在CTAB中的金纳米棒0.1 mL于瓶中,依次添加3.4 mL 30 mM的CTAC,0.04 mL 4 mM硝酸银溶液,0.02 mL 4 mM抗坏血酸溶液,搅拌,使其混合均匀,再置于

60℃的水浴中加热30分钟;

步骤S3:向步骤S2所得溶液中添加0.04 mL 2 mL 的四氯铂酸钾溶液,搅拌,使其混合均匀,再置于60℃的水浴中加热20分钟;

步骤S4:将步骤S3得到的产物,离心,去除上层清液,获得中空结构的金‑银‑铂三金属材料。

2.如权利要求1所述的一种中空的金‑银‑铂三金属材料的合成方法,其特征在于,S11中,恒温静置温度为30℃,静置时间为15分钟。

3.如权利要求1所述的一种中空的金‑银‑铂三金属材料的合成方法,其特征在于,S11中,搅拌转速为400rpm,搅拌时间为60‑90分钟。

4.如权利要求1所述的一种中空的金‑银‑铂三金属材料的合成方法,其特征在于,S13中,对生长之后的溶液离心2次,第一次7000 rpm,30分钟离心,去除上层清液后加入1‑2 mM CTAB,第二次7000 rpm,30分钟离心。

5.一种中空的金‑银‑铂三金属材料,其特征在于,通过权利要求1‑4任一项所述的合成方法合成。