1.一种双面型MEMS热式气体流量传感器，其特征在于，包括：

位于中间的中间键合层(1)以及分布在中间键合层(1)两侧的加热电阻结构和测温电阻结构；

所述加热电阻结构，从靠近所述中间键合层(1)到远离所述键合层(1)的方向依次包括，第一氮化硅层(11)、第一硅层(12)、第二氮化硅层(13)、包裹了第一金属层(14)的第三氮化硅层(15)和第一玻璃层(17)；

所述测温电阻结构，从靠近所述中间键合层(1)到远离所述键合层(1)的方向依次包括，第四氮化硅层(21)、第二硅层(22)、第五氮化硅层(23)、包裹了第二金属层(24)的第六氮化硅层(25)和第二玻璃层(27)；

所述中间键合层(1)、第一氮化硅层(11)、第一硅层(12)、第四氮化硅层(21)、第二硅层(22)中空形成供空气流通的空腔(2)；

所述第一金属层(14)包括成第一金属外框(141)以及位于金属外框内的加热电阻金属(142)，第一金属外框(141)部分连接在空腔(2)对应的镂空的第二氮化硅层(13)上，连接在第一硅层(12)对应的第二氮化硅层(13)上；所述加热电阻金属(142)为弯折往复结构，第一金属层(14)的两端分别具有第一接线端(143)；

所述第二金属层(24)包括成第二金属外框(241)以及位于所述第二金属外框(241)内的测温电阻金属(242)，所述测温电阻金属(242)位于第二金属外框(241)两侧，且分别与第二接线端(243)连接；

在横截面投影上，所述第一金属外框(141)与第二金属外框(241)重合，所述第一接线端(143)与第二接线端(243)重合，所述加热电阻金属(142)完全覆盖住测温电阻金属(242)。

2.根据权利要求1所述的双面型MEMS热式气体流量传感器，其特征在于，第一金属外框(141)与第二金属外框(241)为矩形，且对角线处具有供第一接线端(143)或者第二接线端(243)延伸伸入到第一金属外框(141)或者第二金属外框(241)内的开口。

3.根据权利要求2所述的双面型MEMS热式气体流量传感器，其特征在于，所述第一金属外框(141)与第二金属外框(241)为两个对称的L形结构，包括平行于空腔(2)的第一部分和垂直于第一部分的第二部分，所述第一部分一半位于空腔(2)上方，一半位于第一硅层(12)、第二硅层(22)上方，所述第二部分横跨所述空腔(2)连接空腔(2)两侧的第一硅层(12)、第二硅层(22)的上方。

4.根据权利要求1‑3任一项所述的双面型MEMS热式气体流量传感器，其特征在于，所述中间键合层(1)由第一氮化硅层(11)和第四氮化硅层(21)通过BCB胶键合得到。

5.根据权利要求1‑3任一项所述的双面型MEMS热式气体流量传感器，其特征在于，第一金属层(14)和第二金属层(24)为金属铂。

6.一种双面型MEMS热式气体流量传感器制造方法，用于制造权利要求1‑5任一项所述的双面型MEMS热式气体流量传感器，其特征在于，包括以下步骤：S1，取两块硅片，分别作为第一硅层(12)和第二硅层(22)，分别在硅片的两面的(100)晶向上进行低压气相沉积SiN，形成第一氮化硅层(11)和第二氮化硅层(13)与第四氮化硅层(21)和第五氮化硅层(23)；

S2：分别在第二氮化硅层(13)和第五氮化硅层(23)上镀上金属形成第一金属层(14)和第二金属层(24)，使第一金属层(14)和第二金属层(24)形成所需图案，最终第一金属层(14)和第二金属层(24)分别成为金属化加热电阻和测温电路；

S3：在第一金属层(14)和第二金属层(24)表面使用低压气相沉积法沉积氮化硅形成第三氮化硅层(15)和第六氮化硅层(25)以覆盖第一金属层(14)和第二金属层(24)；

S4：使用光刻使第一氮化硅层(11)和第四氮化硅层(21)形成凹槽露出第一硅层(12)和第二硅层(22)；

S5：腐蚀第一硅层(12)和第二硅层(22)至第二氮化硅层(13)、第五氮化硅层(23)露出，分别形成空腔(2)在加热电阻结构和测温电阻结构的部分；

S6：使用BCB光阻键合胶使打孔玻璃与第三氮化硅层(15)或第六氮化硅层(25)键合形成第一玻璃层(17)和第二玻璃层(27)；

S7：使用BCB光阻键合胶使第一氮化硅层(11)和第四氮化硅层(21)进行BCB胶键合，并且空腔(2)在加热电阻结构和测温电阻结构的部分封闭形成空腔(2)。

7.根据权利要求6所述的双面型MEMS热式气体流量传感器制造方法，其特征在于，S2步骤中的图案分别为：所述第一金属层(14)包括成第一金属外框(141)以及位于金属外框内的加热电阻金属(142)，第一金属外框(141)部分连接在空腔(2)对应的镂空的第二氮化硅层(13)上，连接在第一硅层(12)对应的第二氮化硅层(13)上；所述加热电阻金属(142)为弯折往复结构，第一金属层(14)的两端分别具有第一接线端(143)；

所述第二金属层(24)包括成第二金属外框(241)以及位于所述测温电阻金属(242)，所述测温电阻金属(242)位于第二金属外框(241)两侧，且分别与第二接线端(243)连接。

8.根据权利要求7所述的双面型MEMS热式气体流量传感器制造方法，其特征在于，所述第一金属外框(141)与第二金属外框(241)为两个对称的L形结构，包括平行于空腔(2)的第一部分和垂直于第一部分的第二部分，所述第一部分一半位于空腔(2)上方，一半位于第一硅层(12)、第二硅层(22)上方，所述第二部分横跨所述空腔(2)连接空腔(2)两侧的第一硅层(12)、第二硅层(22)的上方。

9.根据权利要求7或8所述的双面型MEMS热式气体流量传感器制造方法，其特征在于，在横截面投影上，所述第一金属外框(141)与第二金属外框(241)重合，所述第一接线端(143)与第二接线端(243)重合，所述加热电阻金属(142)完全覆盖住测温电阻金属(242)。

10.根据权利要求6所述的双面型MEMS热式气体流量传感器制造方法，其特征在于，S5步骤中使用30％KOH+85℃水浴腐蚀第一硅层(12)和第二硅层(22)。