1.一种用于优化VDMOS加工工艺的方法，其特征在于，该方法的光刻层数为4层，分别是有源区光刻、多晶硅光刻、接触孔光刻、金属层光刻；所述多晶硅光刻，通过一层光刻同时定义栅极、场板图形，P‑body、N+注入图形，其中body注入图形包括结终端保护环结构；所述接触孔光刻，通过一层光刻定义N‑source、P‑body区欧姆接触和接触孔图形；具体包括以下步骤：步骤1，制作N+衬底，在衬底上外延生长N‑漂移区；

步骤2，在N‑外延层上生长场氧化层；

步骤3，有源区光刻，有源区光刻图形同时包括元胞区、结终端保护环区以及结终端和元胞区之间的主结部分，刻蚀掉两侧主结之间的所有场氧化层；所述主结将结终端电极和源极短接；在主结上方制作Gate Pad和Gate Bus部分步骤4，生长栅氧化层，在表面淀积多晶硅；

步骤5，多晶硅光刻，在结终端区域，多晶硅光刻版线宽大于有源区光刻版线宽，使得多晶硅无法完全覆盖下方的场氧化层，以此形成多晶硅场板图形；在有源区区域，有源区光刻版在有源区仅有单个窗口，而多晶硅光刻版窗口数由元胞数量决定，以此形成多晶硅栅极；

所述多晶硅场板为结终端区域保留在场氧化层上的多晶硅；所述多晶硅栅极为有源区保留在栅氧化层上的多晶硅；

步骤6，P‑body注入，P‑body推结，通过多晶硅光刻版同时在结终端和有源区留下的窗口，同时生成有源区的P‑body和结终端的保护环P‑ring区域；

步骤7，N+注入，N+推结，在多晶硅光刻版窗口下进行N+注入；N+注入横向结深小于P‑body注入横向结深，通过两者横向结深差在硅表面形成P型沟道；

步骤8，TEOS法淀积介质层，掺入B2H6形成BPSG，高温回流；

步骤9，接触孔光刻，接触孔刻蚀，接触孔下部分硅刻蚀；所述接触孔刻蚀要求在栅极区域接触孔光刻版线宽小于多晶硅光刻版线宽，实现栅极与源极隔离，所述栅极包括Gate Bus部分；且要求在结终端区域接触孔光刻版线宽大于多晶硅光刻版线宽，实现结终端多晶硅场板裸露，并与金属电极连接；所述接触孔下部分硅刻蚀是指在接触孔光刻版下进行大于N+结深且小于有源区P‑body结深的刻蚀，此时N+区域保留部分作为N‑source区，并与金属电极纵向接触；

步骤10，P+注入，P+推结；所述P+注入即在接触孔光刻版窗口下向结终端和有源区的P‑body区域注入P+，以此形成P‑body区与电极的欧姆接触；

步骤11，金属淀积、金属光刻，金属刻蚀；所述金属光刻要求实现各电极之间的隔离。