1.一种磁场的测量装置，其特征在于，包括：衬底层（10）、结构层（20）和形变部（202）；

所述结构层（20）设置于所述衬底层（10）上；

所述结构层（20）包括周期排布的结构单元，每个结构单元包括n个矩形条（201），所述矩形条（201）两两之间首尾顺次相接围成环形，所述矩形条（201）共面且两两之间设置间距，所述矩形条（201）中至少有两个的长径比不同，n都为自然数且n大于等于3；所述矩形条的材质为石墨烯；所述形变部（202）设置于所述矩形条（201）两两之间首尾相接围成的环形中，所述形变部（202）为磁致伸缩材料；所述衬底层（10）和结构层（20）之间还设置有介质层（30）和贵金属层（40），所述贵金属层（40）位于靠近衬底层（10）的一侧，贵金属层（40）为贵金属薄膜，介质层（30）为磁致伸缩材料；所述矩形条（201）为多层相同大小、相同材质的石墨烯，石墨烯的层数沿着顺时针或者逆时针方向逐渐增减或者减小，使得结构层（20）变成三维的类螺旋结构，从而使所述结构层（20）在左旋圆偏振光和右旋圆偏振光的照射下透射率有更大的差异；

其中，在圆偏振光照射下，所述结构层（20）的表面激发表面等离激元效应；向所述结构层（20）施加外加磁场后，让所述结构层（20）表面的电荷回旋运动的方向发生改变，使得左旋和右旋圆偏振光照射下所述结构层（20）的折射率不同，也就是左旋和右旋圆偏振光照射下所述结构层（20）的透射率会产生差异，从而用该透射率的差异反映磁场的大小，进而实现对磁场的测量。

2.根据权利要求1所述的一种磁场的测量装置，其特征在于，所述矩形条（201）的长度为120nm‑1000nm。

3.根据权利要求2所述的一种磁场的测量装置，其特征在于，所述矩形条（201）的长径比为1/6‑1/2。

4.根据权利要求3所述的一种磁场的测量装置，其特征在于，所述矩形条（201）两两之间的间距小于120nm。

5.根据权利要求4所述的一种磁场的测量装置，其特征在于，所述矩形条（201）两两之间的间距不相同。

6.根据权利要求1所述的一种磁场的测量装置，其特征在于，所述衬底层（10）包括：硅衬底层、氮化硅衬底层或玻璃衬底层中的一种。