1.一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一，将钕铁硼磁体按照尺寸要求切割成块体，用砂纸打磨掉表面的氧化皮，在丙酮溶液中将打磨后的磁体用超声清洗干净；

步骤二，将钕铁硼磁体块体浸入‑196℃的液氮中进行深度冷却处理，深冷处理时间为(1～10)×d分钟，其中d为磁体的厚度，单位为：毫米；

步骤三，将步骤一深冷处理的磁体从液氮中取出让磁体温度升高到室温；

步骤四，重复步骤二和步骤三3～5次；

步骤五，利用富含重稀土元素的扩散源对经过深冷处理后的磁体在700～1000℃进行晶界扩散处理；

步骤六，将步骤五扩散处理后的磁体再进行400～600℃低温退火处理，制得大深度晶界扩散的钕铁硼磁体。

2.根据权利要求1所述的一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：步骤二中，所述深冷处理时间为(2～4)×d分钟，其中d为磁体的厚度，单位：毫米。

3.根据权利要求1所述的一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：步骤五中，所述富含重稀土元素的扩散源为富含镝(Dy)或铽(Tb)的低熔点合金或化合物粉末。

4.根据权利要求3所述的一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述扩散源为Dy70Cu30、Tb70Cu30、DyF3、DyH2、DyF3、DyH2中的任一种。

5.根据权利要求1所述的一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：‑3

步骤五中，所述晶界扩散的温度为800～950℃，时间为1～10h，真空度设定值为1×10 ～1‑2

×10 Pa。

6.根据权利要求1所述的一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：步骤六中，所述晶界扩散后的退火温度为450～550℃，时间为1～10h，真空度设定值为1×‑3 ‑2

10 ～1×10 Pa。

7.根据权利要求1所述的一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：步骤一中，所述块体的厚度为5～15mm。

8.根据权利要求1所述的一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：步骤一中，所述钕铁硼磁体为烧结钕铁硼磁体，平均晶粒尺寸为1～10μm。