1.一种通过掩盖膜表面缺陷的高选择性反渗透膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）水相溶液的配制：在超纯水中加入胺单体和带有亲水性基团的有机弱酸，并加入有机碱，搅拌分散均匀得到水相溶液；其中配制的水相溶液中，胺单体的添加浓度为2.0   ~

5.0wt%；

2）油相溶液的配制：在Isopar‑G溶剂中溶解酰氯单体，超声混合均匀得到油相溶液；其中配制的油相溶液中，酰氯单体的浓度为0.12   0.25wt%，并且所述油相溶液中的酰氯单~

体质量浓度是步骤1）所得水相溶液中胺单体质量浓度的1/20   1/10；

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3）界面聚合制备复合膜：将步骤1）配制的水相溶液倒在聚砜超滤膜PSF表面浸润1 3 ~

min后，采用氮气气刀对聚砜超滤膜PSF表面进行除水干燥，待聚砜膜表面没有明显的液滴时，再将聚砜超滤膜PSF置于通风橱中自然通风干燥1 3 min；随后将步骤2）配制的油相溶~

液在刚刚浸润过水相溶液的聚砜超滤膜PSF表面，持续时间20   60 s完成界面聚合反应~

后，倒掉聚砜超滤膜PSF表面多余的油相溶液，将聚砜超滤膜PSF垂直静置沥干后，于烘箱中干燥，即得到高选择性反渗透膜产品。

2.如权利要求1所述的一种通过掩盖膜表面缺陷的高选择性反渗透膜的制备方法，其特征在于，步骤1）中胺单体为间苯二胺；所述有机弱酸为樟脑磺酸，樟脑磺酸在水相溶液中的浓度为3.8   4.2wt%，优选为4.0wt%；添加的有机碱为三乙胺，三乙胺在水相溶液中的添~

加浓度为2.5   3.0wt%。

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3.如权利要求1所述的一种通过掩盖膜表面缺陷的高选择性反渗透膜的制备方法，其特征在于，步骤2）中酰氯单体为均苯三甲酰氯。

4.如权利要求1所述的一种通过掩盖膜表面缺陷的高选择性反渗透膜的制备方法，其特征在于步骤3）中，水相溶液倒在聚砜超滤膜PSF表面浸润的时间为2.0 min，通风橱中自然通风干燥的时间为2.0 min。

5.如权利要求1所述的一种通过掩盖膜表面缺陷的高选择性反渗透膜的制备方法，其特征在于步骤3）中，界面聚合反应的时间为30 s；倒掉聚砜超滤膜PSF表面多余的油相溶液后，将聚砜超滤膜PSF垂直静置沥干的时间为20   30 s。

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6.如权利要求1所述的一种通过掩盖膜表面缺陷的高选择性反渗透膜的制备方法，其特征在于步骤3）中，烘箱中干燥的温度为90   95 ℃，干燥时间为6   10 min。

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